碱液修饰对硅纳米线阵列电池光谱响应的影响.pdfVIP

第33卷第9期 发 光 学 报 V01．33No．9 2012年9月 CHINESEJOURNALoFLUMINESCENCE Sept．，2012 文章编号：1000-7032(2012)09一0996旬5 碱液修饰对硅纳米线阵列电池光谱响应的影响 蒋玉荣1’2 4，秦瑞平1’2，边长贤3，黄静1， 胡晓峰1，杨海刚1’2，马恒1’2，常方高1’2 (1．河南师范大学物理与信息工程学院，河南新乡453007： 2．河南省光伏材料重点实验室，河南新乡453007；3．河南省新乡市第五职业中专，河南新乡453007) 摘要：采用金属催化化学腐蚀法在p型(100)硅基底上制备了硅纳米阵列，然后用碱溶液对纳米线阵列进行 修饰。分别研究了碱液修饰对硅纳米线阵列形貌、光电性质的影响。研究表明：与绒面及纳米线阵列相比， 碱修饰30s硅纳米线阵列的表面分散均匀，反射率降低；光谱响应度显著提高，并且出现最大量子效率对应 波长红移现象。最后，详细讨论了碱液修饰硅纳米线阵列电池对光谱响应的影响机制。 关键词：碱液修饰；量子效率；光谱响应；表面复合；红移 中图分类号：TB34 文献标识码：A DoI：10．3788／fgx0996 EffectofAlkaliSolution Modifying onThe ofSiliconNanO丽re SolarCell SpectralResponse Arrays JIANG Yu-ron91，2+，QINGRui-pin91’_，BIANChang—xian3， HUANG Jin91，Huxiao—fen91，MAHen91一，CHANGFang—ga01，2 (1．co口号舻矿m泌n耐蜘mnfi帆E，酒聊e^昭，胁n帆Ⅳ0册of哳讹碓妙，崩w池增453007，醌眺； 2．胁nnn Keyk6Drnfo叫o，耽D￡o∞胁icMn￡eri。氐，xi删inng453007，chi舱； 3．聊^．Pr咖ss如n口f丁＆^nicnz＆con如叫s^oof旷崩肼io增c叻。o，舭凡矾Pr彻ince，尉础i彻g453003，吼汛n) }Corre5po蒯i7wAM￡^or，E．mn以：一n粥似ro喟@叫^u￡．edu．cn Abstract：The silicon havebeenfal)ricated an Vertieallyaligfled nanowire(SiNW)arrays byusing electroless andthenthenanowireweremodified theSiNWsin etchingmethod， aITays bydipped alkalisolution．7rheeff爸ctofalkalisolutiononthe and ofSiNWs morphologyphotoelectricpmpeny werestudied．711heresults