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第32卷 第 10期 发 光 学 报 Vo1．32 No．10
2011年 l0月 CHINESE JOURNALOF LUMINESCENCE Oct．．2011
ArticleID：1000-7032(2011)10—1064-05
NearDiffractionLimitHigh--brightness
850nm TaperedLaserDiodes
YANGYe ，LIUYun ，ZHANGJin—long，LIZai．jin ，
SHANXiao—nan．WANGLi—jun
(1．KeylaboratoryofExcitedStateProcesses，ChangchunInstituteofOptics，FineMechanicsandPhysics，
ChineseAcademyofSciences，Changchun，130033，China；
2．GraduateSchoolofChineseAcademyofSciences，Beijing100039，China；
3．LaboratoryofMecicalLaserTechnology，ChineseAcademyofSciences，SuzhouInstituteofBiomedicalEngineeringand
Technology，ChineseAcademyofSciences，Suzhou215163，China)
Abstract：High—powerhigh—brightnesstaperedlaserdiodesemittingat850nm havebeenmanufactured，andthe
beam 】【ualityofneardiffraction limithasbeenachieved．Thebeam propagationfactorM2isonly 1． 7 andthehigh
brightnessisupto16．3MW ·cm～ ·sr～whentheoutputpoweris200mW ，andthevalueschangeto2．8and9．9
MW ．cm一 ．sr～ under1W output．Theelectro—opticalpropertiesoftaperedlasersarediscussed．Wehavealso
studiedtheinfluenceoftaperedsectionlengthonoutputpower．Theresultsreportedinthispapermaybecomeastep
forwardtonew applicationsoftaperedlaserdiodes．
Key words：850nm；taperedlaseTdiode；highbrightness；thebeam propagationfactorM2
CLC number：TN248．4 PACS：85．30．De PACC：4255P Documentcode：A
DOI：10．3788／fgx1064
ridgewaveguide(RW)withataperedgainregion，
1 Intr0ducti0n
isapromising conceptofrnearlydiffraction—limited
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