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第40卷 第6期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．40 No．6
2011年 12月 JOURNAL OF SYNTHEnC CRYSTALS Decenlber．2OIl
磁控溅射技术室温生长氢化 ZnO~Ga薄膜
及其特性研究
王 斐，陈新亮，张 翅，张德坤，魏长春，黄 茜，张晓丹，赵 颖，耿新华
(南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，
南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室，天津300071)
摘要：采用直流脉冲磁控溅射方法，在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO／H)，并通过湿法后腐蚀技术获得绒
面结构。研究了室温下H：流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响。实验表明，氢化 GZO(GZO／H)薄膜具
有 良好的(002)晶面择优取向生长，引入适当流量的H 可以有效提高薄膜的电学特性 ，GZO／H薄膜具有更低的电
阻率以及较高的迁移率和载流子浓度。当通入}{，流量为6sccm时，薄膜电阻率为6．8×10 n ·am，Hall迁移率
达 34．2cm ／V ·s，制备的GZO／H薄膜可见光区域平均透过率优于85％。此外，研究了H：流量对湿法腐蚀后绒面
GZO／H薄膜表面形貌的影响，提出了一种薄膜绒面结构形成过程模型。
关键词：脉冲磁控溅射；氧化锌；镓掺杂；H：流量；绒面结构
中图分类号：TG356．28 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2011)06-1404--06
Growthand CharacteristicsofHydrogenatedGa-dopedZnO ThinFilms
byPulsedDC M agnetronSputteringatRoom Temperature
．
WANGFei，CHENXin-liang，ZHANGChi，ZHANGDe—kun，WEIChang—chun，
HUANGQian，ZHANGXiao—dan，ZHAO ng，GENG n—hda
(InstituteofPhoto—electronicThinFilmDevicesandTechnology，TianjinKeyLaboratoryofPhoto·electronicThinFilmDevicesandTechnology，
KeyLaboratoryofOpto-electronicInformationSciencenadTechnologyforMinistryofEducation，
NankaiUniversity，Tianjin300071，China)
(Received4August2011)
Abstract：HydrogenatedGa—dopedZnOthinfilms(ZnO：Ga／／H，GZO／H)forthinfilm solarcellswere
deposited by pulsed DC magnetron sputtering atroom temperature． e microstructure． surface
morphology．opticaland electricalpropertiesofGZO／H filmsand textured surfaceGZO／H filmswere
investigatedwithdifferentH ．flow．Th
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