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第 14卷第 5期 功能材料与器件学报 Vo l14 ,No5
2008年 10月 JOURNAL OF FUNCTIONAL MA TER IAL S AND D EV ICES O ct. , 2008
文章编号 : 1007 - 4252 (2008) 05 - 09 15 - 04
单光子源低密度长波长 InA s/ GaA s量子点的制备
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方志丹 ,崔碧峰 ,黄社松 ,倪海桥 ,邢艳辉 ,牛智川
( 1. 北京工业大学光电子技术实验室 ,北京 100022;
2. 中国科学院半导体研究所 ,北京 100083)
摘要 :通过优化分子束外延生长条件 ,得到室温发光在 1300nm 低密度的自组织 InA s/ GaA s 量子
( ) 6 - 2
点 。使用极低的 InA s生长速率 0. 00 1单层 /秒 可以把量子点的密度降低到 4 ×10 cm 。这些结
果使得 InA s/ GaA s量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码 、量子通信中。
关键词 :单光子源 ;低密度 ;量子点
中图分类号 : O482. 3 文献标识码 : A
Fabr ica tion of low den sity and long - wavelength InA s/ GaA s
quan tum dots for single photon sources
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FAN G Zh idan , CU I B ifeng , HUAN G She - song ,N I H aiqiao , X IN G Yanhu i ,N IU Zh ichuan
( 1. Op toelectron ic Techno logy L aboratory, B eij ing U n iversity of Techno logy, B eij ing 100022 , Ch ina;
2. In stitu te of Sem iconductors, Ch ine se A cadem y of Science s, B eij ing 100083, Ch ina)
A b stract: The mo lecu lar - beam ep itaxy grow th condition s of self - a ssem b led InA s/ GaA s quan tum dots
(QD s) have been op tim ized to ach ieve a low den sity of dots em itting at 1300nm at room temp eratu re. A n
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