退火对多晶ZnO薄膜结构与发光特性的影响3.pdfVIP

第 52 卷 第 7 期 2003 年 7 月 物 　理 　学 　报 Vol. 52 ,No. 7 ,July ,2003 ( ) 10003290200352 07 174804 ACTA PHYSICA SINICA 2003 Chin. Phys. Soc. 退火对多晶 ZnO 薄膜结构与发光特性的影响 方泽波 　龚恒翔 　刘雪芹 　徐大印 　黄春明 　王印月 (兰州大学物理系 ,兰州　730000) ( ) 2002 年 5 月 14 日收到;2002 年 10 月 31 日收到修改稿 ( ) 　　用射频反应溅射法在 Si 111 衬底上制备了 C 轴取向的多晶 ZnO 薄膜 ,通过不同温度的退火处理 ,研究了退火 对多晶 ZnO 薄膜结构和发光特性的影响. 由x 射线衍射得知 ,随退火温度的升高 , 晶粒逐渐变大 ,薄膜中压应力由 大变小至出现张应力. 光致发光测量发现 ,样品在 430nm 附近有一光致发光峰 , 峰的强度随退火温度升高而减弱 , 联合样品电阻率随退火温度升高而逐渐变大的测量及能级图 ,推测出 ZnO 薄膜中的蓝光发射主要来源于锌填隙原 子缺陷能级与价带顶能级间的跃迁. 关键词 : ZnO 薄膜 , 退火 , 光致发光 , 射频反应溅射 PACC : 7155 , 7855 ) ( ) 9997 % ,氧分压比 R = PO PO + PAr = 04 ,射频 2 2 1 引 言 溅射功率为 150W ,衬底为 Si ( 111) ,衬底与靶间距为 50mm ,衬底温度为室温 ,沉积时间为 60min , 沉积的 ZnO 是具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙半导 薄膜厚度约为 150nm. 为了消除样品制备时不同生 体 ,室温带隙宽度约为 3 . 37eV. 它具有低介电常数 、 长参数对样品的影响 ,我们把同一块样品分成 1cm 高化学稳定性及优异的光电特性 ,是一种多功能材 ×1cm 的若干小块 ,分别在空气中进行 250 ℃,600 ℃ 料 ,在发光器件[ 1 ,2 ] 、非线性光学器件[3 ,4 ] 等领域有重 和 800 ℃退火处理. 退火时间均为 60min . 退火后样 要的应用. 同时, C 轴取向较好 、应力较小的高质量 品自然冷却到室温 ,降温速度约为 18Kmin. 之后用 ZnO 薄膜其压电性能很好 ,而被广泛应用于声表面 ( αλ ) Dmax2400 衍射分析仪 Cu K , = 015405nm 对样 波器件[5 ,6 ] 中. 因此 ,近年来 ZnO 薄膜的研究倍受关