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AN-6069 低端门极驱动器的应用和比较评价 摘要 低端驱动器也用于驱动变压器，能够给电源隔离的两边 功率MOSFET 需要一个门极驱动电路，将来自模拟或者 提供隔离的MOSFET 门极驱动电路或通信。在这些应用 数字控制器的开通/关断信号转换为控制MOSFET所必需 中，要求驱动器能够处理变压器驱动中特有的问题，随 的功率信号。本文给出了当用作次级同步整流器以及驱 后进行讨论。 动脉冲/ 门极驱动变压器时，在钳位感性负载应用中 低端驱动器看似一个平凡的课题；已经书写了多篇相关 MOSFET 的开关动作详解。探讨了潜在的驱动器方案， 论题的论文。虽然驱动器通常被视作理想电压源，能够 包括分立驱动器和集成驱动器设计。MOSFET驱动器数 输出或吸入电流，取决于电路的串联阻抗，但是实际 据表中的电流额定值已校验过，并给出了在实验室可以 上，它却受到分立电路或者集成电路设计的限制。本文 辅助评估驱动器性能的电路。 从应用的角度回顾了对驱动器的基本要求，然后在实验 层次上研究一种方法，用于测试和评估驱动器的驱动能 引言 力。 在许多中小功率的应用中，在PWM控制IC 的输出驱动 下，低端（参考地）MOSFET用来开关一个感性负载。 钳位感性开关 如果PWM输出电路可以在一个令人满意的开关时间上 简化的升压变换器如图1所示，图中给出了一个带钳位 驱动MOSFET而不会浪费过多的功率，则该方案是令人 感性负载的典型功率电路原理图。当MOSFET Q导通 满意的。随着系统功率需求的增长，开关的数量以及相 时，输入电压VIN施加于电感L两端，电流以线性方式爬 关的驱动电路也随之增加。随着控制电路复杂性的增 升，将能量储存于电感中。当MOSFET关断时，电感电 加，由于接地和噪音问题，IC制造商越来越普遍地省略 流流经二极管D1 ，并将能量传递给COUT和RLOAD ，输出 IC 内置驱动器。 电压为VDC 。假设感值足够大，在开关时间间隔内能够 当提高效率和增加功率密度变得重要时，越来越多的同 维持电流恒定。 步整流器（SR）用来取代标准整流器。传递数十安培电 流隔离的功率级，在每个整流器桥臂上需要并联两个或 VIN L VDC D1 多个低电阻的MOSFET ，这是很常见的。这些MOSFET VDD 器件需要在低于100ns时间内具有高达几安培的电流脉 冲，才能正常开关。外部驱动器可以提供这些大电流脉 CBYP COUT RLOAD 冲，确定时序防止直通，并优化效率来控制SR的工作。 RG Q 此外，驱动器