总剂量辐照效应对窄沟道SOINMOSFET器件的影响.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 7 (2013) 076104 总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET 器件的影响 12† 1 1 1 12 宁冰旭 胡志远 张正选 毕大炜 黄辉祥 戴若凡12 张彦伟12 邹世昌1 1) ( 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050 ) 2) ( 中国科学院研究生院, 北京 100049 ) ( 2012 年10 月10 日收到; 2012 年10 月29 日收到修改稿) 本文深入研究了 130 nm Silicon-on-Insulator (SOI) 技术下的窄沟道n 型metal-oxide-semiconductor-field-effect- transistor (MOSFET) 器件的总剂量辐照效应. 在总剂量辐照下, 相比于宽沟道器件, 窄沟道器件的阈值电压漂移更为 明显. 论文利用电荷守恒定律很好地解释了辐照增强的窄沟道效应. 另外, 本文首次发现, 对于工作在线性区的窄沟 道器件, 辐照产生的浅沟槽隔离氧化物(STI) 陷阱正电荷会增加沟道区载流子之间的碰撞概率和沟道表面粗糙度散 射, 从而导致主沟道晶体管的载流子迁移率退化以及跨导降低. 最后, 对辐照增强的窄沟效应以及迁移率退化进行 了三维器件仿真模拟, 仿真结果与实验结果符合得很好. 关键词: 总剂量效应(TID), 浅沟槽隔离(STI), 氧化层陷阱正电荷, SOI MOSFET PACS: 61.80.Ed, 73.50.Dn, 85.35.p DOI: 10.7498/aps.62.076104 本论文中, 我们以 130 nm SOI CMOS 工艺下 1 引言 的窄沟道NMOS 器件作为研究对象, 探讨了总剂量 辐照效应对其的影响. 研究发现, 在窄沟道器件中, 相对于体硅CMOS 技术, SOI 技术具有高速 辐照引起的STI 陷阱电荷会影响主晶体管的阈值 度、低功耗、高集成度、短沟道效应小和抗辐射 电压, 这是因为STI 控制的耗尽层电荷占栅控制的 12 耗尽层电荷的比例增大. 另外, 辐照产生的STI 陷 等先天性的优势 . 由于全介质隔离和最小化的 有源区, SOI 技术具有很好的抗单粒子效应和抗单 阱正电荷由于距离主沟道区载流子很近, 会增加载 3 流子之间的碰撞概率, 在低漏端电压下会导致主晶 粒子闩锁特性 . 然而, 总剂量辐照会在栅氧中引 入氧化层陷阱电荷和界面态, 这不仅导致阈值电 体管的载流子迁移率退化以及强反型区跨导降低. 4 最后, 我们通过三维器件仿真分析更好地理解了总 压漂移, 还会伴随迁移率降低和跨导退化 . 另外, STI 在总剂量辐照下同样会引入陷阱正电荷, 这些 剂量辐照效应对窄沟道器件的影响. 电荷在电场作用下移动至氧化物/体区界面, 使得 侧壁反型, 从而形成从漏端到源端的关态泄漏电 2 器件辐照实验 流47 . 更为严重的是, 辐照在埋氧层(BOX) 中引 入的陷阱正电荷会导致SOI 器件背沟道耗尽甚至 实验样品为130 nm 部分耗尽SOI CMOS 工艺 反型, 从而产生漏极到源极的关态漏电流812 .