硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状.pdfVIP

前沿进展 硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物 材料的研究现状! 相文峰! ! 颜! 雷! ! 谈国太! ! 郭海中! ! 刘丽峰! ! 吕惠宾! ! 周岳亮! ! 陈正豪 （中国科学院物理研究所! 北京! #$$$%$ ） 摘! 要! ! 随着科学技术的进步和集成电路市场日益扩大的需求，硅基集成电路的集成度越来越高，而集成度的提 高是以其核心器件金属氧化物半导体场效应晶体管（’()*+ ）的特征尺寸逐渐减小为基础的, 当栅极(-’. 介电层的 厚度减小到原子尺度大小时，由于量子效应的影响， (-’. 将失去介电特性，因此必须寻找一种新的高介电常数（/-0/ 1 ! ）的氧化物材料来代替它, 如今世界上许多国家都开展了替代(-’. 的介电氧化物材料的研究工作, 文章介绍了栅极 介电层厚度减小带来的影响，栅极(-’.