直拉硅中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 5% ’ %$$ ’ ， ， ， WK: +5% (K + ’ SD?D;X %$$ （ ） #$$$1%F$I%$$I5% $’ I%$$$1$5 S)/S MTUVP)S VP(P)S %$$ )Y8 + MY=; + VKE + 直拉硅中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响! ! 蒋 乐 杨德仁 余学功 马向阳 徐 进 阙端麟 （浙江大学硅材料科学国家重点实验室，杭州 #$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$% ’ %$$% ## #’ 研究了掺氮直拉硅单晶（ ）中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响 通过不同温度高温退火后，测量氧沉淀 ()* + 的生成量和观察硅片体内微缺陷（ ）密度与高温形核时间的变化关系，同时用透射电子显微镜（ ）观察氧沉 ,-. /0- 淀及相关缺陷的微观结构+ 实验结果表明高温退火后氮对硅中氧沉淀形核有明显的促进作用，在相同退火条件下 硅中 密度要远远高于相应的普通直拉硅 这是由于氮在高温下与氧反应形成氮氧复合体（ ）促进了 ()* ,-. + (1 !12 氧沉淀的形核，而且/0- 的结果表明氧沉淀的形态都是平板状，周围存在应力场+ 关键词：直拉硅，掺氮，氧沉淀 ： ， ， !## 3#$4 3%’$) 3#$/ 的生成，但氮在高温下对氧沉淀行为的影响尚缺乏 #6 引 言 系统性研究+ 本文主要研究了氮在高温下对氧沉淀形核的影 随着超大规模集成电路的发展，线宽越来越小， 响+ 通过不同温度下退火不同时间后，测量氧沉淀的 对硅晶体的质量要求越来越高 氧作为直拉硅单晶 + 生成量和观察硅片体内微缺陷（ ）密度与退火时 ,-. 中的主要杂质来自坩埚的污染，一般以过饱和形式 间的关系，以及氧沉淀的微观结构+ 实验结果表明， 存在于硅中，其浓度在 #’ 左右 在集成电路制 氮在高温退火过程中对氧沉淀有明显的促进作用， #$ I E7 + 造的退火工艺中，这些过饱和的氧将会沉淀下来形 同时在相同退火条件下()* 硅中,-. 密度要远远 成氧沉淀，氧沉淀已经被用于集成电路的内吸杂工 高于相应的 硅 这是由于氮在高温下与空位、氧