镁掺杂钛酸锶铅钡薄膜的介电调谐性能研究.pdfVIP

第 34卷 第 6期 三峡大学学报 (自然科学版) Vo1．34No．6 2012年 12月 JofChinaThreeGorgesUniv．(NaturalSciences) Dec．2O12 镁掺杂钛酸锶铅钡薄膜的介电调谐性能研究 杨 英 孙小华 李修能 侯 爽 (三峡大学 机械与材料学院，湖北 宜昌 443002) 摘要：采用 Sol—Gel法在 Pt／Ti／SiO ／Si衬底上制备 出未掺杂和掺杂 Mg的(Ba Sr。)。．。Pb 一 TiO。薄膜．采用 XRD、SEM 和 Agilent4294A 精密阻抗分析仪研 究 了Mg掺杂量对薄膜 的结晶 性 ，表面形貌和介电性能的影响．结果表 明：随着 Mg掺杂量 的增加 ，PBST 薄膜的介电常数减小 ， 介 电损耗降低，介电调谐量先减少后增加．当Mg掺杂量为0．8mol96／时，PBST薄膜具有最大的优 值 因子． 关键词 ：钛酸锶铅钡 ； 镁掺杂； 溶胶凝胶； 介 电性能 中图分类号 ：O646 文献标识码 ：A 文章编号 ：1672—948X(2012)06—0089—04 DielectricandTunablePropertiesofM g—dopedPBST ThinFilms YangYing SunXiaohua LiXiuneng HouShuang (CollegeofMechanical MaterialEngineering，ChinaThreeGorgesUniv．，Yichang443002，China) Abstract (Ba0 Sr ) 5Pb 5TiO3thinfilmsdopedbyz(Mg)一 0～ 0．8mol werefabricatedbySol-Ge1 ． 5 methodonPt／Ti／SiO2／Si．TheeffectofMgdopingonthecrystallization，structureanddielectricproperties ofPBST thinfilmswereinvestigatedbyXRD，SEM ，Agilent4294A precision impedanceanalyzer．There- sultsshow thatthedielectricconstantanddielectriclossdecreasedwithincreasingamountsofM gdopant；but thetunabilityweredroppedfirstandrisenthen．TheMg—dopedPBST thinfilm Sfigureofmeritshow maxi— mum valuewiththeoptimalz(Mg)一0．8％． Keywords PBST； Mg doped； Sol—Gel； dielectricproperties 铁 电材料是集铁 电、压 电、热释 电、电光、光折变 膜 的研究较少． 和非线形光学等性能于一体 的多功能材料 [】]．由于其 研究发现少量掺杂剂可以显著地改变铁 电薄膜 性质的优越性 ，铁 电薄膜可广泛应用于微电子学、集 的介电性能．一些可以占据 ABO。钙钛矿结构的B位 成光学、微机械等诸多领域 ]．SrTiO。，PbTiO。，Ba— 并且充当电子受主 的掺杂剂 (如 Mg 、Ni抖 、Fe抖 、 Ti0。，BST和PST是铁电材料中典型的代表．由于晶 Fe。+、Mn。+、Co+、Co。+、A1。+、Cr。+和 Bi。+)已经 被 体结构相似 ，BaTiO。，SrTiO。和 PbTi0。等铁 电体 的 用来降低薄膜的介质损耗[4。]．Mg抖 由于具有和 Ti 性能也相似，Ba ，Sr ，Pb抖的半径相差不大 ，所 以 相近的离子半径，且价位 比Ti什的价位要低 ，所以在 3者间可 以替代形成 固溶体且