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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 60 ，No. 1 (2011) 017103
退火对非故意掺杂4H-SiC 外延材料386 nm
*
和388 nm 发射峰的影响
程 萍 张玉明 张义门
( ， ， 7 1007 1)
西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安
(20 10 1 27 ;20 10 4 28 )
年 月 日收到 年 月 日收到修改稿
10 K ， (PL) 4 H-SiC PL .
条件下 采用光致发光 技术研究了不同退火处理后非故意掺杂 外延材料的低温 特性 结
， 370—400 nm ， 3. 26 eV ， 4 H-SiC
果发现 在 范围内出现了三个发射峰 能量较高的峰约为 与 材料的室温禁带宽度相
. 386 nm 388 nm ～ 3. 2 1 eV ～ 3. 19 eV ， N .
当 波长约为 和 的两个发射峰分别位于 和 与材料中的 杂质有关 当退火时
30 min ， ，386 nm 388 nm PL ， 1573 K
间为 时 随退火温度的升高 和 两个发射峰的 强度先增加后减小 且退火温度为
， PL . 1573 K ， ，PL 30 min
时 两个发射峰的 强度均达到最大 退火温度为 时 随着退火时间的延长 结果与 退火的变化
. ，386 nm 388 nm PL PL ，
趋势一致 相同的退火条件下 和 两个发射峰的低温 结果与材料中本征缺陷的 结果一致 是
它们微扰势相互作用的结果.
: ， ， ，4 H-SiC
关键词 光致发光 退火处理 能级
PACS :7 1. 55 . Ak ，78 . 55 . Ap ，6 1. 72 . Cc
、
在外延材料的制备过程中可
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