PCVD—Ti(CN)膜的工艺及应用研究.pdfVIP

一 PCVD—Ti(CN)膜的工艺及应用研究 彭红瑞 李t直 (青岛化工学院 ，山东青岛 ， 张学农 (上海轻 I热处理厂) 通过 正盘试验对 PCVD-Ti(CN)膜的镀膜工艺誊数进行 了优化 ，得到一可制备高I眭度 、高结 台车度扣高沉积速率 的Ti(CN)膜 的工 艺毒数 。试验表明 ，在用PCVD法沉积 Ti(CN)膜 的过 程 中，CH 的流量是一个重要的控制毒数 。过 多的CH。会给 Ti(CN)膜 带来不利影响。氨气虽然可 以提 高TifCN) 膜的沉积速率，但降低 了膜一基的结合牢度。其冷挤压模具应用结果表明，用优化工 艺镀Ti(CN)膜的模 主题词 三墨± 化学气相叫 A TheDepositi6nand Zhao Cheng Peng Hongrui Li Shizhi (QingdaoInstituteofChemicalTechnology，QingdaoShandong266042，PRC) Zhang Xuenong (ShanghaiLightIndustrialHeatTreatmentFactory) 拦 Abstract TheparametersofdepositingPCVD-Ti(CN)coatingshavebeenoptimizedusingorthog onaltestmethod Theresultsshowedthatthe flow rateofCH {isanimportantparameterin thede positingprocess．ExcessCH ‘willhedetrimentaltoTi(CN)coatings．Argoncanincreasethedepositing 精具Ⅷ rateofTi(CN coatings．butitdecreasestheadhesionstrengthofTi(CN)coatings．The optimizedTi一 (cN)coatingwasusedindepositingcoldformingejectordies．ThelifetimeofdiescoatedwithTi(CN) ¨ firmshasincreasedbyafactorof10timescomparedwith theuncoatedonesand 2～ 4timescompared with theTiN coatedones． 试验用 PCVD镀膜装置及试验 方法 文献 [2 。 0 引言 隙 5( 试验用气体纯度分别是 ：H…N 为 6N；Ar，CH 为 N： Ti(cN)膜可用高温CVD和中温CVD制备 t但即 TiCI为工业纯。在前期试验的基础上，选定TiC1． 使中温 CVD也要在 700 8o0℃制备，所 以应用范围 流量为 0．05mol／h。放 电电压及 电流密度依据 休 受到限制 。等离子体化学气相沉积硬膜技术 (PCVD) 力的不同，维持在 900～1000V 及 08～ 1．1mA／c_l1 是在 CVD的基础上，加上等离子体的激活作用，使沉 之间，以保证沉积温度控制在 550C，由此TiC1、艘电 积温度降到了6ooc以F。在用 PCVD法制备的具有 电压及电流密度均不作为试验变量。 不 同的 N／C比的 Ti(c～N )膜 的研 究表 明 ]，Ti 采用了文献 [3]的正交试验疗法。把 N…H 、cH (cN)膜有着比TiN膜 更高的硬度和更致 密的组织 ， 和Ar的流鼍作为试验变量 在文献 [1]的基础j，选 叉比TiC膜有较 高 的韧性 。加之在磨损过程 中 T； 定了表 1所列的因素和位级=表 2是按 (3)Ⅱ盘