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第 卷第 期 湖北大学学报(自然科学版�
34 4 Vol.34 No.4
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年 月 ( � �
2012 12 Jo��nalofH�beiUni�e��i� Na���alScience Dec.2012
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文 章编号� ( �
1000-2375201204-0461-03
掺 的 薄 膜 稀 磁 半 导 体 的 制 备 及 磁 性 研 究
N� A�N
钟伟 明�秦杰�熊娟�顾豪爽
(湖北大学物理学与 电子技术学 院�湖北 武汉 430062�
摘要 采 用射 频 磁 控 溅 射 的 方 法 制 备 掺 的 薄 膜 ( � � �
� Ni AlN Al1-� Ni� N�=0.0210.047 0.064
��薄膜 样 品 沿 ( �晶向 生 长 利 用 振 动 样 品 磁 强 计 研 究 其 磁 性 能�发 现样 品 在 室 温 下 均 具
0.082 AlN 100 .
有 铁磁 性�随 掺 杂量 的增 加�饱 和磁 矩 先 减 小 后增 大�最 大矫 顽 力达 结 合 线光 电子 能 谱 分
Ni 104Oe. X
析 �推 断 掺杂 原 子进 入 晶格 取代 了 的 位置 �样 品 的铁 磁性 可 以用 与相 邻 原 子之 间的
Ni AlN Al Ni N d
p-
杂 化机 制来 解释 .
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��关键词�Ni掺杂 AlN稀磁半导体 射频磁控溅射 室温铁磁性
��中图分类 号�TM303���文献标 志码� A��
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稀 磁半 导体 因其在 自旋 电子 器件方 面 巨大的应用 潜力 而引起广 大学 者的广泛关 注 国 内
DMS� .
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外 很多研究 团队对 基稀磁 半 导体 进 行 了深 入 的研 究 2-4 国 内外的研 究人 员通 过对 掺 杂
AlN . AlN 3d
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