大功率IGBT击穿故障分析及驱动保护电路设计.pdf

!! ：堑 Science and TechnologyInnovationHerald 创 新 技 术 大功率IGBT击穿故障分析及驱动保护电路设计 张广智’王琳琳’赵伟华’张伟光’李全熙 (1．哈尔滨师范大学物理与电子工程学院 哈尔滨 150025；2．91329部队装备部 264200) 摘 要：该文通过对IGBTJ~成的H桥在大功率高速开关条件下进行大量实验，列举了IGBT发生击穿故障的多种原因，结合]GBTB件的结构分析 其击穿过程及击穿表现，并通过计算提出了一种输出波形稳定的IGBT驱动电路以及相应的保护电路。 关键词：击穿 驱动 保护 中图分类号：0453 文献标识码：A 文章编号：1674-098X(2012)l2(b)--0029--02 目前，大功率 电源技术 的发展 向着小 第二步 ：IGBT短路 ，IGBT的雪崩击 炸管。 型、高频方向迈进，其功率开关部分多采用 穿是一个可逆过程 ，不会立即导致IGBT 1．3过温击穿 IGBT来实现 ，但是 由于功率 的增大、开关 损坏，此过程如果通过增加吸收 回路等方 IGBT的最大工作温度一股为175 ℃， 频率的增高及设备体积的减小 ，使得IGBT 法使过压时间控制在1O个电压脉冲周期以 但实际应用 中结温的最高温度要控制在 发生击穿甚至炸管的故障率显著增加 ，该 内，IGBT不会表现为不可逆的击穿状态 ， l50 ℃以下，一般最好不要超过 130 ℃，否 文通过使IGBT工作在500V／l0KHz条 但如果吸收回路没能在短时间内吸收浪涌 则高温会引起外部器件热疲劳 以及IGBT 件下进行的各项试验 ，对不同原因导致的 电压 ，那么IGBT~II会表现为集电极发射极 稳定性变差，经过实际验证IGBT长时间工 击穿现象进行分析总结，论述 了不同情况下 短路状态 (静 电击穿门级表现为门级发射 作在40 ℃左右为宜。 击穿的根本原因及表现形式，提 出了一种 极短路)，此状态不可逆。 发生过温击穿的主要原因为散热设计 IGBT驱动保护电路。经实际验证 ，此电路 1．2过流击穿 不完善，电路设计原因为死区时间设置过 运行稳定，保护动作快速有效 。 导致IGBT过流击穿的原因多为负载短 短、控制信号受干扰导致的逆变桥臂瞬时 IGBT是 由BJT(双极 型三极管 )和 路、负载对地短路 ，此外，由于驱动电路故 短路、负载阻抗不匹配、驱动 电压不足、 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控 障、外界干扰等造成的逆变桥桥臂不正确 IGBT器件选型错误导致的和设计开关频 型电压驱动式功率半导体器件 ，具有载流 导通也是过流击穿的一大原 因。 率不 匹配等。 密度大，开关速率快，驱动功率小而饱和压 IGBT有一定抗过 电流能力，但时间要 过温失效主要表现在以下几个方面： 降低的优 点。非常适合应用于直流 电压为 控制在 10us以内。IGBT 内部有一个寄生 栅 门槛 电压 。增大 ，CE动态压 降 增 600V及以上 的大功率逆变系统，在工业 晶闸管，所以有擎住效应。在规定的发射极 大 ；动态导通时间增大，关断时间减小 ，开 领域有着广泛的应用。 电流范围内，NPN 的正偏压不足以使其导 关损耗增大 。 通 ，当发射极电流大到一定程度时，这个正 1击穿原因分析 偏压会使NPN 晶体管开通，进而使NPN 2驱动保护电路设计 由于该器件经常应用于大功率及开关 $HPNP 晶体管处于饱和状态 ，导致寄生晶 2．1驱动电路设计思路 速率快的场合，因此发生击穿甚至炸管的 闸管开通，此时门极会失去控制作用，便发 以K40T120(1200 V／40