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射頻濺鍍鑭鈣錳氧薄膜特性研究及其光偵測元件應用
Properties and Optical Detection of La-Ca-Mn-O Films by RF Sputtering
摘要
本研究以射頻濺鍍方式成長鑭鈣錳氧薄膜,實驗發現,高溫退火處理對薄膜表面
形態及電、磁特性均有影響。以光微影蝕刻方式製作元件,使用經調制之氦氖雷
射作為光源,量測其光偵測特性。結果顯示,其偵測信號隨偏壓電流增加而提升,
具有線性關係。整體評估,鑭鈣錳氧薄膜作為光偵測元件深具潛力。
壹、前言
鑭鈣錳氧 (La-Ca-Mn-O)是 一具有磁阻效應之材料,所謂磁阻
(Magnetoresistance Ratios) 定義為[1]
R (H ) [R (H ) R (0)]
(1)
R (0) R (0)
其中R(0)是無外加磁場下之電阻,R(H)則是外加磁場下之電阻。
La-Ca-Mn-O 之原始組成化合物 LaMnO 是鈣鈦礦結構 (Perovskite) ,是具有反
3
鐵磁(Anti-ferromagnetic)特性之絕緣體(Insulator) 。在LaMnO3 組成中,La 和 Mn
是三價離子,若以 Ca 、Sr 、Ba 等二價離子取代部分之La 形成La A MnO時,
1-x x 3
3+ 4+
則 Mn 變成同時具有三價 Mn 和四價 Mn 存在之狀態。在適當的取代範圍內
(0.2x0.4) ,材料變成具有鐵磁特性(Ferromagnetism) ,及導電特性(Conductive) 。
此一因取代作用促使電、磁特性轉變之現象,Zener[2] 提出了所謂雙重交換
機制(Double Exchange)加以解釋。鈣鈦礦結構錳氧化物 LaMnO中,Mn被週遭八
3
個 O所包圍而形成 MnO6 八面體結構。當以Ca 、Sr 、Ba 等二價離子取代部分之
3+ 4+ 3 1 3 0
La時, Mn 和 Mn 之價電子組態分別為 t e 和 t e ;其中t 軌道上之電子
2g g 2g g 2g
2-
被局域化(Locoalized) ,無法自由移動。e 軌道上之電子則非局域化,可以 O 為
g
3+ 4+ 3+
橋樑在 Mn 和 Mn 之間自由移動使材料具導電性。然而,導電率深受 Mn 和
4+
Mn 之磁矩排列方向一致程度所影響。Anderson[3]提出了 Transfer Integral 之公式
3+ 4+
來計算電子在Mn 和 Mn 之間跳躍(Hopping)之機率,公式如下
t t 0 cos( ij ) (2)
ij
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