高灵敏压力传感器过载保护结构设计.pdfVIP

第24卷 第5期 传 感 技 术 学 报 Vo1．24 No．5 2011年 5月 t：IIINESE JOURNALOFSENSORSAND ACTUATORS Mav2011 OverloadProtectionDesign ofHigh-SensitivityPressureSensor CHUAIRongyanh SUN Rui，LIUXiaowei，WANGJian ， ，1．SchoolofInformationScienceandEngineering，ShenyangUniversityofTechnology，Shenyang110870，China-、 ＼2．MEMSCenter，HarbinInstituteofTechnology，Harbin150001．China ， Abstract：Inmicroelectromechanicalsystems(MEMS)，thepressuresensormadebythesacrificiallayertechnique hasadvantagessuchassmallchip sizeandhigh sensitivity，whichneverthelessresultsin thedifficultytoincrease theoverloadability．ThUS．thestressdistributionontheelasticthinfilm ofthesacfificiallayerpiezoresistivepressure sensorwassimulated and analyzed bythe finite—elementanalysisusingboth staticlinearand nonlinearcontact methods．Throughlhecombinationofthesetwomethods．Ihestressdistributionwassimulatedaccuratelyunderthe stateofoverload．Basedontheanalysisresults，astructuraldesignmethodwasproposed，which can increasethe overloadabilitytoabout180％ ～220％ ． Keywords：pressuresensor；sacrificiallayertechnology；overloadprotection；nonlinearcontact EEACC：7230 doi：10．3969／j．issn．1004-1699．2011．05．010 高灵敏压力传感器过载保护结构设计冰 揣荣岩h，孙 瑞 ，刘晓为 ，王 健 ／1．沈阳工业大学 信息科学与工程学院，沈阳 110870；＼ ＼2．哈尔滨工业大学 MEMS中心，哈尔滨 150001 ／ 摘 要 ：采用微机电系统(MEMS)牺牲层技术制作的压力传感器具有芯片尺寸小，灵敏度高的优势，但同时也带来了提高过 载能力的难题。为此，利用有限元法，对牺牲层结构压阻式压力传感器弹性膜片的应力分布进行了静态线性分析和非线性接 触分析。通过这两种分析方法的结合，准确的模拟出过载状态下传感器的应力分布。在此基础上给出了压力传感器的一种 结构设计方法，从而可使这种压力传感器过载保护能力提高 180％～220％。 关键词 ：压力传感器；牺牲层技术；过载保护；非线性接触 中图分类号 ：TH212 文献标识码：A 文章编号 ：1004—1699(2011)05—0675—04 采用MEMS技术的小量程、高灵敏压力传感器 通常压力传感器的应变电阻是在单晶硅片上扩 通常有平膜 、岛膜、梁膜等结构 ，在设计过载保