脉冲激光沉积法（PLD）生长Co掺杂ZnO薄膜及其磁学性能.pdfVIP

维普资讯 第29卷 第3期 发 光 学 报 V01．29 No．3 2008年6月 CHINESE JOURNAL OFLUMINESCENCE Jun．，2008 文章编号：1000-7032(2008)03-0486-05 脉冲激光沉积法(PLD)生长 C0掺杂 ZnO薄膜及其磁学性能 叶志高 ，朱丽萍 ，彭英姿 ，叶志镇 ，何海平 ，赵炳辉 (1．浙江大学 硅材料国家重点实验室，浙江 杭州 310027； 2．杭州电子科技大学理学院材料物理研究所，浙江 杭州 310018) 摘要：采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长co掺杂ZnO薄膜，并且比较了不同生 长条件下薄膜的性能。实验观察到了700℃、0．02Pa氧压气氛下生长的co掺杂 ZnO薄膜显示室温磁滞回 线。采用XRD、SEM等手段对 co掺杂ZnO薄膜的晶体结构及微观形貌进行了分析，得到的ZnO薄膜具有高 度的c轴择优取向，结构比较致密，表面平整度较高，并且没有发现co的相关分相 ，初步表明co有效地掺人 了ZnO的晶格当中。霍尔测试表明co掺杂 ZnO薄膜样品保持了半导体的电学性能，电阻率为0．04n ·em 左右 。载流子浓度约为 10 ／era。，迁移率都在 l8．7em。／V ·s以上。实验结果表明材料保持了ZnO半导体的 性能，并具有室温铁磁性。 关 键 词：氧化锌；磁性；Co掺杂；脉冲激光沉积 中图分类号：0472．5 PACC：7280E；7570 文献标识码：A 从理论上计算了5％Mn掺杂的P型ZnMnO材料 1 引 言 中可以实现室温铁磁性以来，稀磁ZnO半导体材 近年来，稀磁半导体(DMSs)由于其在 自旋电 料研究取得了很大进展，掺杂元素包含Mn，Fe， 子学器件上的潜在应用而受到越来越多研究者的 co，Ni，Gd等，采用的衬底材料主要是蓝宝石，室 关注。所谓稀磁半导体 (DMSs)指的是其中部分 温铁磁性多有报道 8 。其中co掺杂ZnO的铁 原子被磁性掺杂原子随机取代的半导体材料，由 磁机制比较复杂，铁磁性来源还存在争议。有报 于其单相中电荷及 自旋 自由度较高而很有希望应 道指出，采用固相及液相反应法制备得到的块体 用于 自旋电子学 j。目前，Ⅲ．V族类型如 GaAs Zn CoO多晶样品表现出反铁磁性… ，而另一 的稀磁半导体已被广泛研究，但它们存在一个严 些报道则指出均匀zn，一CoO薄膜展现spin—glass 重问题，即其居里温度 (Tc)都比较低，这阻碍了 行为，非均匀的zn CoO薄膜则更有可能具有 这类稀磁半导体的器件应用。 室温铁磁性_6’nJ。PLD方法是 目前应用较为广 ZnO是一种新型的 Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带 泛的非平衡生长薄膜制备技术，具有生长速率快， ． 半导体材料，禁带宽度 3．37eV，它的激子束缚能 操作简单，薄膜结晶性好，制膜种类多，易制备多 高达60meV，其激子能够在室温及以上温度下稳 层膜和异质膜等优点，故本文采用PLD方法制备 定存在，因而被视为继GaN之后又一种具有广泛 样品。 应用前景的优良光电材料，有望用于制备紫外、绿 本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在单晶si 光、蓝光等多种发光器件 』。因而ZnO基材料 (100)及石英衬底上生长 Co掺杂 ZnO薄膜，Co 受到广泛研究。近来 由于其它类型的稀磁半导体 含量 5％，通过改变衬底温度，制备得到具有室温 材料研究遭遇居里温度的室温瓶颈，而