AlMgSi 合金β′ 析出相的界面原子键络对性能的影响.pdfVIP

AlMgSi 合金β′ 析出相的界面原子键络对性能的影响.pdf

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第 23卷第 3期 中国有色金属学报  2013年 3月  Vol.23 No.3  The Chinese Journal of Nonferrous Metals  Mar. 2013  文章编号:1004­0609(2013)03­0610­06  Al­Mg­Si 合金 β′析出相的界面原子键络对性能的影响 黄创高,黄礼琳,袁龙乐,邓芊芊,高英俊  (广西大学 物理科学与工程技术学院,南宁  530004)  摘 要:应用基于价键理论和能带理论建立的固体与分子经验电子理论(EET)和改进的界面  TFD  理论,对  Al­Mg­Si 合金的 β′析出相内部原子间的价电子成键及其与基体界面间形成的界面键络特征进行研究,计算该析 出相的结合能、析出相与基体的界面能。计算结果表明:β′相的键络强度较 pre­β″和β″相的有所减弱,因此,β′  相对合金的强化作用没有 β″相的显著;β′相界面处的电荷密度连续性较弱,使得界面结合较弱,相界面处内应 力较大,界面结合不够稳定。本研究将合金宏观性能的研究追溯到原子成键的电子结构层次。 关键词:Al­Mg­Si合金;β′析出相;原子成键;界面 中图分类号:TG111  文献标志码:A  Effect of atomic bonding of interface of β′ phase on  property of Al­Mg­Si alloy  HUANG Chuang­gao, HUANG Li­lin, YUAN Long­le, DENG Qian­qian, GAO Ying­jun  (School of Physics Science and Engineering, Guangxi University, Nanning 530004, China)  Abstract:  The  atomic  bonding,  interface  combined  factor,  crystal  cohesive energy,  interface energy  between  the  precipitation with matrix were calculated using the empirical electronic theory in solid (EET) and the improved TFD  theory which were established basis on bond theory to investigate the atomic bonding in interface between the matrix  with  β′  phase. The calculation results show that the atomic bonding of β′ phase is less than that of β″, therefore the  effect of β′ phase strengthening for alloy is not stronger than that of β″. The electronic density continuous in interface  between the β′ phase and matrix is poor, and also the atomic bonding in interface is weaker, and makes the inner stress  larger, and the combination of interface is not stable. The research for the

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