一维多缺陷光子晶体的缺陷模3.pdfVIP

第 57 卷 第 9 期 2008 年 9 月 物 　理 　学 　报 Vol. 57 ,No. 9 ,September ,2008 ( ) 10003290200857 09 570904 ACTA PHYSICA SINICA 2008 Chin. Phys. Soc. 一维多缺陷光子晶体的缺陷模 陈宪锋 　蒋美萍 　沈小明　金 　铱 　黄正逸 (江苏工业学院数理学院 ,常州 　213164) (2007 年 12 月 21 日收到 ;2008 年 3 月 19 日收到修改稿) 　　设计了一个多缺陷的一维光子晶体 ,并利用传输理论研究其透射谱. 利用泰勒展式的一级近似 ,得到了缺陷模 频率的解析表达式 ,进而得到紧束缚理论中的耦合因子. 这些结论与实验结果或数值模拟相符合 ,可以很好地描述 缺陷模的有关规律 ,对多通道滤波器的设计具有指导意义. 关键词 : 光子晶体 , 缺陷模 , 紧束缚方法 , 耦合因子 PACC : 4270Q , 4282 在光子晶体中 ,不同缺陷间的相互作用导致缺 1 引 言 陷模产生的劈裂现象 ,可借助固体物理中的紧束缚 方法来进行研究[9 —14 ] . 为了描述因缺陷耦合而导致 光子晶体是按照晶体的对称性制备的一种介电 的缺陷模频率的分裂 ,有时需要含两个以上耦合参 常数或折射率具有周期性变化的介电结构 ,具有光 数的紧束缚近似 ,如文献[14 ]就采用了三个耦合参 子带隙特征[1 ] . 与半导体掺杂相类似 ,在光子晶体中 数. 在这些理论中 ,耦合系数的数值只能通过实验或 [2 ] 数值模拟计算来得到 ,不同的光子晶体数值不一样. 引入缺陷 ,可以在禁带中出现局域的缺陷模 . 由于 该缺陷模频率的光子被局域在缺陷处 , 电磁场能量 也就是说 ,缺陷耦合系数没有一个简洁的解析表达 高度集中 ,若在缺陷处置入非线性介质 ,就可产生很 式 ,也就不易判断不同参数对缺陷模的影响程度. 本 强的非线性效应 ,因此对缺陷模进行研究 ,如何有效 文设计了一个多缺陷的一维光子晶体 ,利用传输理 地控制和利用缺陷模引起了人们的广泛关注[3 —6 ] . 论[15 ,16 ] 来研究缺陷模的有关规律 ,并给出缺陷模频 若光子晶体中具有多个缺陷 ,则局域在不同缺陷处 率的一级近似解析式 ,进而得到了紧束缚理论的耦 的电磁波之间将产生耦合作用 ,导致在禁带中出现 合因子 ,这些结论与实验结果和数值模拟相符合. ( ) [7 ,8 ] 缺陷带 杂质带 . 如果相邻缺陷的间距较远 ,缺 陷模间的耦合作用较弱 ,则杂质带是一个较窄的通 2 晶体结构与计算方法 带 ;相反当缺陷间距较近时 ,缺陷模间的耦合作用较 强 ,杂质能级间的裂距就较大 ,可形成一个较宽的杂 　　设计一个由A ,B 两种材料沿 z 轴方向交替生 质带. 可见 ,缺陷位置的变化导致杂质带的变化. 通 长形成的一维对称型光子晶体. 材料的折射率分别 过调节光子晶体的结构参数 、缺陷的大小 、不同缺陷 为 n1 , n2 ,厚度分别为 d1 , d2 ,使其光学