多晶薄膜电子结构的实验研究.pdfVIP

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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ##6 , , , /PH , FP , Q9R ##6 ( ) !###(%#J##6J # J$4#6 8GK8 LMN+OG8 +OFOG8 ##6 GST@ , LSRU , +PD , !#$ 多晶薄膜电子结构的实验研究! !) !) !) !) ) ) ) !) 张 辉 王宝义 张仁刚 张 哲 钱海杰 苏 润 奎热西 魏 龙 !)(中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京 !###$% ) )(中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室,北京 !###$% ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) ## $ ’ ## % !( 用磁控溅射方法制各纯 薄膜,并硫化合成 采用同步辐射 射线近边吸收谱与 射线光电子能谱研究 )* )*+ , - - 了薄膜的电子结构, 结果表明,合成的)*+ 薄膜,在费米能级附近,有较强的)* (. 态密度存在,同时,在价带谱中 — 处有强度较大的 态密度存在; 的 轨道在八面体配位场作用下分别为 和 轨道,实验中由 !#*/ + (0 )* (. 12 *2 )* 的吸收谱计算得到两分裂能级之差为 3 !*/;实验测得)*+ 价带结构中导带宽度约为 3$*/,导带上方仍存在第二 能隙,其宽度约为 34*/ , 关键词:磁控溅射,二硫化铁, 射线吸收近边结构,电子结构 - : , , %’’ ’4#5 46(#7 ’(#8 I E E I 被 所取代, 被 取代,当 周围的 个 )* GH + )* 6 引 言

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