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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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!#$ 多晶薄膜电子结构的实验研究!
!) !) !) !) ) ) ) !)
张 辉 王宝义 张仁刚 张 哲 钱海杰 苏 润 奎热西 魏 龙
!)(中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京 !###$% )
)(中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室,北京 !###$% )
( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿)
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用磁控溅射方法制各纯 薄膜,并硫化合成 采用同步辐射 射线近边吸收谱与 射线光电子能谱研究
)* )*+ , - -
了薄膜的电子结构, 结果表明,合成的)*+ 薄膜,在费米能级附近,有较强的)* (. 态密度存在,同时,在价带谱中
— 处有强度较大的 态密度存在; 的 轨道在八面体配位场作用下分别为 和 轨道,实验中由
!#*/ + (0 )* (. 12 *2 )*
的吸收谱计算得到两分裂能级之差为 3 !*/;实验测得)*+ 价带结构中导带宽度约为 3$*/,导带上方仍存在第二
能隙,其宽度约为 34*/ ,
关键词:磁控溅射,二硫化铁, 射线吸收近边结构,电子结构
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