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幾種實用的低電壓冗餘電源配置設計 引 言 對於一些需要長時間不間斷操作、高可靠的系統，如基站通信設備、監控設備、伺服器等，往往需要 高可靠的電源供應。冗餘電源設計是其中的關鍵部分，在高可用系統中起著重要作用。冗餘電源一般 配置2個以上電源。當1個電源出現故障時，其他電源可以立刻投入，不中斷設備的正常運行。這類 似於UPS電源的工作原理：當市電斷電時由電池頂替供電。冗餘電源的區別主要是由不同的電源供 電。 電源冗餘有交流220 V及各種直流電壓的應用，本文主要介紹低壓直流(如DC 5 V、DC 12 V 等)的冗 餘電源配置設計。 1 冗餘電源介紹 電源冗餘一般可以採取的方案有容量冗余、冗余冷備份、並聯均流的N+1備份、冗餘熱備份等方式。 容量冗餘是指電源的最大負載能力大於實際負載，這對提高可靠性意義不大。 冗余冷備份是指電源由多個功能相同的模組組成，正常時由其中一個供電，當其故障時，備份模組立 刻啟動投入工作。這種方式的缺點是電源切換存在時間間隔，容易造成電壓豁口。 並聯均流的N+1備份方式是指電源由多個相同單元組成，各單元通過或閘二極體並聯在一起，由各單 元同時向設備供電。這種方案在1個電源故障時不會影響負載供電，但負載端短路時容易波及所有單 元。冗餘熱備份是指電源由多個單元組成，並且同時工作，但只由其中一個向設備供電，其他空載。 主電源故障時備份電源可以立即投入，輸出電壓波動很小。本文主要介紹後兩種方案的設計。 2 傳統冗餘電源方案 傳統的冗餘電源設計方案是由2個或多個電源通過分別連接二極體陽極，以“或閘”的方式並聯輸出 至電源匯流排上。如圖1所示。可以讓1個電源單獨工作，也可以讓多個電源同時工作。當其中1 個電源出現故障時，由於二極體的單嚮導通特性，不會影響電源匯流排的輸出。 在實際的冗餘電源系統中，一般電流都比較大，可達幾十A。考慮到二極體本身的功耗，一般選用壓 降較低、電流較大的肖特基二極體，比如SR1620～SR1660(額定電流16 A)。通常這些二極體上還需 要安裝散熱片，以利於散熱。 3 傳統方案與替代方案的比較 使用二極體的傳統方案電路簡單，但有其固有的缺點：功耗大、發熱嚴重、需加裝散熱片、佔用體積 大。由於電路中通常為大電流，二極體大部分時間處於前嚮導通模式，它的壓降所引起的功耗不容忽 視。最小壓降的肖特基二極體也有0．45 V，在大電流時，例如12 A，就有5 W的功耗，因此要特別 處理散熱問題。 現在新的冗餘電源配置是採用大功率的 MOSFET 管來代替傳統電路中的二極體。MOSFET的導通內阻可 以到幾mΩ，大大降低了壓降損耗。在大功率應用中，不僅實現了效率更高的解決方案，而且由於無 需散熱器，所以節省了大量的電路板面積，也減少了設備的散熱源。應用電路中MOSFET需要有專業 晶片的控制。目前，TI、Linear等各大公司都推出了一些成熟的該類晶片。 4 新方案中 MOSFET 的特殊應用 MOSFET在新的冗餘電源方案中是關鍵器件。由於與常規電路中的應用不同，很多人對MOSFET的認識 都存在一定誤區。為了方便後續電路的介紹，下面對其特殊之處作以說明。 首先，MOSFET符號中的箭頭並不代表實際電流流動方向。在三極管應用中，電流方向與元件符號的 箭頭方向相同，因此很多人以為MOSFET也是如此。其實MOSFET與三極管不同，它的箭頭方向只是表 示從P極板指向N極板，與電流方向無關，如圖2所示。 其次，應注意MOSFET中二極體的存在。如圖2所示，N溝道 MOSFET中源極S接二極體的陽極，P溝 道MOS-FET中漏極D接二極體的陽極。因此，在大多數把MOSFET當作開關使用的電路中，對於N溝 道MOSFET，電流是從漏極流向源極，柵極G接高電壓導通；對於P溝道MOSFET，電流是從源極流向 漏極，柵極G接低電壓導通，否則由於二極體的存在，柵極的控制就不能關斷電流通路。 最後，應注意MOSFET的電流流動方向是雙向的，不同于三極管的單嚮導通。對於MOSFET的導電特性， 大多數資料、文獻及器件的資料手冊中只給出了單向導電特性曲線，大多數應用也只是利用了它的單 向導電特性；而對於其雙向導電特性，則鮮有文獻介紹。實際上，MOS-FET為電壓控制器件，通過柵 極電壓的大小改變