SRAM灵敏放大器的设计改进及其Hspice仿真分析.pdfVIP

维普资讯 2007年第3期 中图分类号：TN402 文献标识码：A 文章编号：1009—2552(2007)03—0036—04 SRAM灵敏放大器的设计改进及其 I-lspiee仿真分析 杨洪艳 (中国人民武装警察部队学院，廊坊065000) 摘 要：静态随机存取存储器 (SRAM)由于其 自身的低功耗和高速的优势而成为半导体存储器 中不可或缺的重要产品。提高和改善静态存储器的性能依然是集成电路设计领域的重要课题。 从降低静态存储器功耗的角度 出发，重点研究了静态存储器的关键模块——灵敏放大器的工作 机理和结构，设计了一种改进型的锁存型灵敏放大器，Hspice的仿真表明，该放大器的功耗大大 低于传统的静态存储器的灵敏放大器模块的功耗。 关键词：SRAM；灵敏放大器；仿真 ． Design ofsensitiveamplifierforSRAM memory anditssimulation basedon Hspice YANGHong-yan (TheChinesePeo~e’sA PoliceForcesAcademy，Langfang065000，China) Abstract：StaticrandomaCCeSSmemory(SRAM)hasbecome anindispensablememberofsemiconductor me mo ryfamilydue to its low powerconsumption nad high — speedperformance．Itisstillna important researchingtopicinICdesignfieldot raisenadtoimproveSRAM performance．Forthepurposetoreducehte SRAMpowerdissipation，nadbasedonhtestudyofhteworkingmechanismsnadhtestructureofesnsitive amplifierusedas htekeymoduleofSRAM，htisarticleproposesnadimpleme ntesallimprovedLatch—style esnsitiveamplfiier，hteHspicesimulationindicates htatitspowerdissipa tionismuch lowerhtna htatofhte traditionalesnsitiveamplfiierusedinSRAM． Keywords：SRAM；esnsitiveamplifier；simulation O 概述 改善静态存储器的性能依然是集成电路设计领域的 自晶体管诞生以来，微电子技术发展异常迅速， 重要课题。 目前已进入大规模集成电路和系统集成时代。微电 本文从降低静态存储器功耗的角度出发，重点 子技术已经成为整个信息技术和产业的基础，也是 研究了静态存储器的关键模块——灵敏放大器的工 一 个国家综合国力的重要标志。在微 电子大家族 作机理和结构。首先详细分析了锁存器型灵敏放大 中，半导体存储器是一类重要的微电子产品。在随 器的结构及其工作原理，然后对其进行 Hspice仿 机存储器中，除了动态存储器 (DRAM)外，静态存储 真。在此基础上，针对 SRAM对灵敏放大器的功耗 器(SRAM)由于其 自身的低功耗和高速