多碱阴极光电发射机理研究.pdfVIP

第 4O卷第 9期 光 子 学 报 Vo1．40N0．9 2011年 9月 ACTA PH ()ToNICA SINICA 文章编号：1004—4213(2011)09—1438—4 多碱阴极光电发射机理研究 李晓峰 ，刘如彪 ，赵学锋 (北方夜视科技集团股份公司，昆明 650114) 摘 要 ：通过 比较有 Cs—Sb表面层多碱 阴极和未有 Cs—Sb表面层 多碱 阴极的荧光谱，发现有 Cs—Sb 表面层 多碱 阴极的荧光谱峰值波长向短波方向“蓝移”以及荧光峰增强的现 象．这一现 象表 明在多 碱阴极 NazKSb基层上制作 Cs—Sb表面层之后，不仅 多碱 阴极的选出功降低 ，而且 NaKSb基层的 结构也发生 了变化．这 意味着在相 同功率和相 同频率入射光 照射 下，经过表面 Cs—Sb处理 的 NazKSb基层能够产生更多的跃迁电子并且跃迁能级更高，逸 出表面的机率更大，获得的阴极灵敏 度更高．这表明Cs—Sb表面层既具有表面效应，又具有体效应．要进一步提高多碱 阴极的灵敏度 ，除 进一步降低多碱 阴极的选 出功外，还需进一步提高NaKSb基层的性能，使相 同功率和频率的入射 光能产生更多的跃迁 电子 ，并且跃迁的能级更高，这就需要进一步改进 工艺，提高 Na。KSb材料 的 性能． 关键词 ：光致荧光 ；逸 出功 ；带隙；光 电发射 中图分类号 ：O462．3 文献标识码 ：A doi：l0．3788／gzx1438 于工艺不同，导致材料结构也不同，因此其阴极灵敏 U 引 舌 度的也不同．因此有必要研究什么样的材料结构更 多碱光电阴极 (简称多碱 阴极)制造工艺简单 ， 好 ，如何改进工艺来进一步提高多碱阴极的灵敏度． 可以在各种形状的各种玻璃上制作 ，因此在光电管 、 本文通过光致发光的方法探索了多碱阴极 Na。KSb 光电倍增管、微光像增强器等真空光电子器件 中有 基层上制作 CsSb表面层后多碱阴极的结构变化 ， 广泛应用 [1]．近年来随着各种新型半导体探测器的 进一步揭示 了多碱 阴极 的光 电发射 的机理 ，为进一 出现 ，在许多信号探测领域 ，光电倍增管等传统的真 步改进工艺提供了重要的参考价值． 空器件正逐步被这些新型探测器所替代．然而在微 1 光致荧光分析的特点及多碱 阴极样 光夜视领域，多碱阴极 的优点仍然十分突出．在上世 纪 80年代随着欧洲超二代微光像增强器的出现 ，使 品制备 微光像增强器的性能得 以进一步提升 ]．超二代微 当某种物质受到 电磁辐射激发后 ，电子 由基态 光像增强器性能提高的一个原因就是多碱阴极灵敏 被激发到激发态 (单重激发态或三重激发态)，只要 度的提高，即 2856K色温 白光灵敏度从约 400 A／ 该物质不发生化学变化，它总要 回复到原来 的平衡 lm提高到800／iA／lm 以上，并且还有进一步提高的 状态．在此过程中，一部分多余的能量会通过光或热 趋势．多碱阴极灵敏度提高的原 因显然是 随着技术 的形式释放出来．如果这部分能量是 以可见光的形 进步 ，真空度 、材料纯度得到进一步提高，工艺得到 式发射 出来 ，就称这种现象为发光．当电子从单重激 了进一步改进．所改进 的多碱阴极 的制作工艺仍然 发态以辐射跃迁方式回到基态时，物质发出荧光．当 是先制作 Na。KSb基层 ，然后再制作 cssb表面层 ， 电子从三重激发态 以辐射跃 迁方式 回到基态时，物 所不同的是在制作 Na。KSb基层和 Cs—Sb表面层