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：
ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２００９０６０１４
ＡｌＣｕ互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法
，
１ ２ １ ２ ２
施海铭，汪辉，李化阳，林俊毅
（ 上海交通大学微电子学院，上海 ； 上海宏力半导体制造有限公司蚀刻工程部，
１ ２００２４０ ２
上海 ）
２０１２０３
： 。
摘要侧壁孔洞缺陷是当前 金属互连导线工艺中的主要缺陷之一此种缺陷会导致电
ＡｌＣｕ
迁移，从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中， 相
θ
在 晶界聚集成大颗粒并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致被腐
Ａｌ Ｃｕ Ａｌ ， Ａｌ
２
蚀而在互连导线侧壁生成孔洞。通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含
量控制可以抑制这种缺陷产生从而减少电迁移并且提高芯片的可靠性
， ， 。
关键词 互连侧壁孔洞缺陷 相 光刻胶清洗
：ＡｌＣｕ ； ；θＡｌ Ｃｕ２
中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ）
ＴＮ４０５９７ Ａ １００３３５３Ｘ ２００９ ０６０５６９０４
Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ ａｎｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｄｅｗａｌｌ Ａｔｔａｃｋ Ｄｅｆｅｃｔ
ｉｎ ＡｌＣｕ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｐｒｏｃｅｓｓ
，
１ ２ １ ２ ２
， ， ，
Ｓｈｉ Ｈａｉｍｉｎｇ Ｗａｎｇ Ｈｕｉ Ｌｉ Ｈｕａｙａｎｇ ＬｉｎｇＪｕｎｙｉ
（ ， ， ， ； ，
１． Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｈａｎｇｈａｉ ＪｉａｏＴｏｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｓｈａｎｇｈａｉ ２００２４０ Ｃｈｉｎａ ２． Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ
， ， ）
Ｓｈａｎｇｈａｉ Ｇｒａｃｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Ｓｈａｎｇｈａｉ ２０１２０３ Ｃｈｉｎａ
：
Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｓｉｄｅｗａｌｌ ａｔｔａｃｋ ｉｓ ｏｎｅ ｏｆ ｔｈｅ ｍａ
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