ZnO纳米阵列增强大功率蓝光LED出光效率研究.pdfVIP

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2017-09-13 发布于重庆
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ZnO纳米阵列增强大功率蓝光LED出光效率研究.pdf

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第27 卷第7 期无机材料学报 Vol. 27 No. 7 2012 年7 月 Journal of Inorganic Materials Jul., 2012 文章编号: 1000-324X(2012)07-0716-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2012.11499 ZnO 纳米阵列增强大功率蓝光 LED 出光效率的研究 1 1 1 1 2 2 徐冰 , 赵俊亮 , 张检明 , 孙小卫 , 诸葛福伟 , 李效民 (1. 天津大学理学院, 应用物理系, 天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室, 天津 300072; 2. 中国科学院上海硅酸盐研究所, 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室, 上海 200050) 摘要: 采用低成本的化学溶液法在大功率GaN 基蓝光LED 芯片上生长ZnO 纳米阵列, 以提高LED 芯片的出光效率. 通过改变生长溶液中氨水及锌离子浓度实现对纳米阵列结构形貌的可控性, 进而得到不同形貌的 ZnO 纳米阵列. 在此基础上, 进一步研究纳米结构形貌对LED 芯片出光性能的影响, 探讨纳米结构增强LED 芯片发光效率的机理. 结果表明, 较高密度、锥形形貌的ZnO 纳米阵列更有利于增强LED 芯片的出光效率. 在优化的实验条件下, 表面沉积ZnO 纳米阵列的LED 芯片比普通LED 的出光效率高出60% 以上, 并且纳米阵列不影响LED 器件的电学性能和发光稳定性. 关键词: ZnO 纳米阵列; 大功率LED 芯片; 出光效率; 化学溶液法中图分类号: O472 文献标识码: A ZnO Nano-arrays on High Power Blue LED Chip for Enhanced Light Extraction Efficiency 1 1 1 1 2 2 XU Bing , ZHAO Jun-Liang , ZHANG Jian-Ming , SUN Xiao-Wei , ZHUGE Fu-Wei , LI Xiao-Min (1. Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology, Department of Applied Physics, School of Science, Tianjin University, Tianjin 300072, China; 2. Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Ac