AlInN半导体薄膜的制备与物性研究.pdfVIP

I Al(In)N半导体薄膜的制备与物性研究 凝聚态物理专业 研究生芦伟指导教师徐明 摘要AlInN的物性一般可通过改变组分的方法进行大跨度 调节，并可与GaN等材料晶格匹配，因此AIInN是比AIGaN和InGaN 更为优异的三族氮化物三元合金材料。然而制备高质量的AIInN是 当前的一大难题。A1N／GaN和AIGaN／GaN超晶格是当前三族氮化物 超晶格结构的研究热点，而A1N／InN超晶格研究几乎尚为空白。但 A1N与InN在带隙与电学等方面的特性差异极大，使A1N／InN超晶格 结构具有潜在的巨大应用价值。 本文就如何提高AIInN质量和A1N／InN与AIN／GaN超晶格能带 结构两方面展开研究，取得如下结果： 1．为研究优化AIInN质量的生长方法，探讨其生长机制，本文 利用单靶射频溅射法在不同条件和不同缓冲层结构上生长出了不 同质量的AIInN薄膜。利用XRD，TEM等多种方法测试发现改进生 长条件后薄膜质量明显提高：降低工作气压和Ar／N2比值能够极大 增进AIInN的(0002)取向性，较高气压和N2比例有助于晶粒长大； 在较高温度生长对薄膜质量有强烈劣化作用，退火处理能够进一 步提高晶体取向性。缓冲层结构对晶体质量也有显著作用， 卜二| 灿圳／AlN／舢心结构的薄膜具有最高的取向性，与a轴取向有关的 衍射峰完全消失。同时，研究指出在AIInN生长中，AIInN和TiN可 ．1 能是比A1N更为优异的缓冲层材料，而SiNx不适于作为缓冲层。对 组分与应变的研究发现，～组分分布在~o．24．0．31之间，样片基本 都受压应变，压应变增强会使舢组分具有增加的趋势。随薄膜质 E 量提高，电学特性随之得以改善。实验中还发现，在AIInN生长初 期可能会自发生成富鲇和富hl的双缓冲层结构。 二． 2．利用Kr6nig．Pcnney模型和形变势理论探讨了纤锌矿型 AIN／InN和AlN／GaN超晶格系统的能带结构和不同应变模式对能 带结构的影响，计算得到能带结构随亚层参量变化的一般性规律、 超晶格的能量色散关系、应变造成的影响以及系统禁带宽度和导 带第一子禁带宽度。研究发现通过改变亚层厚度可以从不同形式 设计能带结构；应变会改变系统禁带宽度，使带阶和予能带明显 窄化，价带结构趋于复杂甚至生成准能带结构。与实验结果对比 发现，该模型适于模拟窄势阱结构超晶格，对于宽势阱则须考虑 内建电场的作用。最后，初步分析了超晶格模拟三元合金的带隙 特性与优势。 关键词：AIInNAIN／InN超晶格磁控溅射K-P模型 J_l_l o Ⅱ 冬 and of andelectric Fabrication ^’ studyoptical 一 of film proper