去除铝基板的大功率LED热分析.pdfVIP

第33卷 第 12期 发 光 学 报 Vo1．33 No．12 2012年 12月 CHINESE J0URNAL OF LUMINESCENCE Dec．，20l2 文章编号：1000-7032(2012)12—1362~6 去除铝基板的大功率LED热分析 陈建龙 ，文尚胜 ，姚 日晖 ，汪 峰 (1．华南理工大学 高分子光电材料与器件研究所，广东广州 510640； 2．华南理工大学 发光材料与器件国家重点实验室，广东广州 510640) 摘要 ：提出一种大功率LED免铝基板封装方式，采用ANSYS有限元热分析软件对传统的铝基板封装和免铝 基板封装的LED进行模拟对 比分析。模拟结果表明：两种封装结构的LED，其最高温度均出现在 LED芯片 处：对于单颗功率 lW、3颗功率 1W和单颗功率3W 的器件 ，由于有效地简化了散热通道、大幅度降低了总 热阻．采用免铝基板结构的最高温度分别降低了6．436，9．468，19．309qC。传统的铝基板封装即使选用热导 率高达200W／(m ·K)的基板，其散热效果依旧略逊于免铝基板封装结构 ，且随着 LED功率的增大，免铝基 板的新型封装结构散热优势更加明显。本文的研究为解决大功率LED的散热问题和光色稳定性问题提供了 一 种新途径 关 键 词：热阻；大功率LED；铝基板 ；ANSYS有限元分析 ；热分析 中图分类号：TN312 ．8 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx1362 ThermalAnalysisofHigh-powerLED W ithoutAluminum Substrate CHENJian．1ong，WEN Shang—sheng ，YAORi—hui， ，WANG Feng (1．InstituteofPolymerOptoelectronicMaterialandDevices，SouthChinaUniversity0『T‘echnology，Gaangzhou510640，China； 2．StateKeyLaboratoryoJLuminescenceMaterialsandDveices，SouthChinaUniversityofTechnology，Guangzhou510640，China) {CorrespondingAuthor．E—mail：yaorihui@seut．edu．ca Abstract：A novelmethodthatwithoutaluminum substratehigh—powerLED encapsulationispro— posed．Thethermalpropertiesoftraditionalstructureandthisnew structureissimulatedbyusingfi- niteelementanalysissoftware．Thesimulationresultsshow thatthemaximum temperaturesappearin theLED chips．Comparingwith thetraditionalsturcture，themaximum temperaturesofthenew sturcturerespectivelylower6．436。9．468and19．309 whentheinputpoweris1x1W ，3x1W and1×3W．Evenifthethermalconductivityofsubstratereachesashig【has200W／(in ·K)，theheat dissipationeffectisstillbetterthanthestructurewithaluminum substrate．Theheatdissipatione