抗辐射铁电存储器的研究进展.pdfVIP

· 34 · 材料导报A：综述篇 2012年 12月(上)第26卷第12期 抗辐射铁 电存储器的研究进展 翟亚红，李 威，李 平，胡 滨，霍伟荣，李俊宏，辜 科 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 ，成都 610054) 摘要 在分析铁电存储器工作原理以及铁电薄膜材料抗辐射能力的基础上 ，综述了商业化铁电存储器的发展 历程 以及辐射实验结果。总结了抗辐射加固的铁 电存储器的研究进展以及抗辐射加固的方法，展望了抗辐射铁 电存 储器的应用前景 。 关键词 铁电存储器 辐射效应 铁电材料 铁电电容 中图分类号：TN384 文献标识码：A ResearchProgressofRadiationHardenedFerroelectricRandom AccessM emory ZHAIYahong，LIWei，LIPing，HUBin，HUOWeirong，LIJunhong，GUKe (StatekeyLaboratoryofElectricThinFilmsandIntegratedDevices，UniversityofElectronicScienceand Technology，Chengdu610054) Abstract TheprincipleofFeRAM andtheradiationhardnessabilityofferroelectricfilmarefullyanalyzedand reviewed．ThecommercialFeRAM Sroadmapandradiationresultsaregiven．Subsequently，anoverview ofthestate ofradiationhardenedFeRAM andtheradiationhardnessmeasuresarepresented．Theresearchandapplicationonra— diationhardenedFeRAM areprospected． Keywords ferroelectricrandom accessmemories，radiationeffects，ferroeleetriematerial，ferroelectriccapaci— tors 子不回到晶胞中心，对外表现出一定的极性，铁电存储器就 0 引言 是利用这 2个稳定态来代表数字逻辑中的 “l”和 “0”。同样， 随着全球航空航天以及深太空探测技术的不断发展 ，电 基于铁电材料的特殊结构，存储状态可实现大于 10 次的擦 子系统对所应用的存储器技术提出了更高的要求，主要有抗 写。而在离子辐照情况下，铁 电电容存储 “1”和 “0”的2个态 辐射能力强、功耗低、寿命长、存储密度大、体积小等__】]。铁 是由原子位置决定的，很难被改变，具有很好的抗辐射性能。 电存储器是将铁 电薄膜与传统的硅基半导体集成的新一代 可擦写随机存储器，具有非易失、低功耗、高速、长寿命等优 点3¨]。铁电存储器 自从诞生之 日起，其预期 目标为应用于 需要抗辐射的领域。铁电薄膜材料 以及铁 电电容具有很强 la loePb O 的抗辐射能力 ]，常规的铁 电存储器的抗辐射能力以及抗 ● Zr／Ti 辐射加固的铁电存储器的研究进展一直是各国研究机构不 断探索的问题_9]。