沟槽阻挡型阳极结构门极换流晶闸管特性研究.pdfVIP

第32卷 第6期 固体电子学研究与进展 Vol_32。No．6 2012年 12月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Dec．，2012 ＼ 、 、 、 器件物理与器件模拟 、 ． 、 、 沟槽阻挡型阳极结构 门极换流晶闸管特性研究 张如亮 高 勇 黄卫斌 (西安理工大学电子工程系，西安，710048) 2012—09—19收稿 ，2012-10—15收改稿 摘要：引入沟槽结构，提出一种改进型注入效率可控门极换流晶闸管。新结构采用沟槽型阻挡结构代替阳极表 面平面型氧化薄层，实现对基区漂移电子阻挡和积累作用，保持了注入效率 自调整效应，减小了平面型氧化阻挡层 对阳极有效面积的影响。模拟结果表明，新结构器件实现了注入效率控制功能，增大了有效阳极接触面积并降低了 通态压降；其沟槽宽度可调节注入效率和关断特性。 关键词：电力半导体；门极换流晶闸管；沟槽阻挡结构；注入效率 中图分类号：TN342 ．4 文献标识码 ：A 文章编号：1000—3819(2012)06—0531—05 CharacteristicResearchontheGateCommutatedThyristor withaTrenchStopAnodeStructure ZHANG Ruliang GAO Yong HUANG W eibin (DepartmentofElectronicsEngineering，XianUniversityof Technology，Xian，7：[0048，CHN) Abstract：Amodifiedinjectionefficiencycontrolledgatecommutatedthyristorwithatrench structureisproposed．A trenchoxidelayerstopstructureisintroducedintotheanodesurfaceto besubstitutedfortheoriginalplanarstructure．Thenoveldevicestillkeepstheinjectionefficien— cy—adjustedeffect，andalsoeliminatesthedecrementofactiveanodecontactcausedbyplanar SiO2stoplayer．Simulationsshow thattheproposeddeviceextendstheactiveanodeareaandhas aloweron—statevoltage．Andinjectionefficiencyandturn—offcharacteristicCflnbecontrolledby thetrenchwidth． Keywords：powersemiconductor；gatecommutatedthyristor；trenchstopstructure；injec- tionefficiency EEACC ：256OP 的低关断损耗特点。由于集成了门极驱动电路并有 士 “硬驱动”特性 ，正在成为GTO和 IGBT在功率转 口 换领域的理想替代器件_3]。新近提出的注入效率可 集成 门极换流晶闸管 (Integratedgate—commu— 控 门极换流晶闸管 (Injectioneff