基于EXB841IGBT驱动电路设计及优化.pdfVIP

基于EXB841的IGBT驱动电路设计及优化 丁祖军’，郑建勇’，梅 军’，苏 麟’，柴继涛2，吴恒荣2 c1.东南大学 电气系，江苏 南京 210096;2.江苏华厦电气集团，江苏扬中212200) 摘要:介绍了绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)器件驱动电路设计的一 般要求，对EXB841芯片的工作过程作了深入的分析，研究了EXB841对IGBT的开通和关断以及 过流保护的原理，指出了用EXB841直接驱动IGBT时存在的问题和不足，主要是过流保护的阀值 太高、关断不可靠及在软关断时没有对外部输入信号进行封锁。同时，提出了针对这些不足在设计 驱动电路时应当采取的几种有效方法。最后，运用EXB841及其他器件设计和优化了一个IGBT的 驱动电路，该驱动电路通过电力电子仿真软件PSPICE(SimulationProgramwithICEmphasis)仿真 和试验证明能够有效地对IGBT器件进行驱动和过电流保护。 关键词:绝缘姗双极型晶体管;EXB841;驱动电路 中图分类号:TN47;TP391.9 文献标识码:A 文章编号:1006一6047(2004)06-0037-04 绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBi- 延时，同时要保证当IGBT损坏时驱动电路中的其他 polarTransistor)是一种由双极晶体管与MOSFET组 元件不会被损坏。 合的器件，它既具有MOS咫T的栅极电压控制快速 日本FUJI公司的EXB841芯片具有单电源、正 开关特性，又具有双极晶体管大电流处理能力和低 负偏压、过流检测、保护、软关断等主要特性，是一种 饱和压降的特点，近年来在各种电力变换装置中得 比较典型的驱动电路。其功能比较完善，在国内得 到广泛应用。但是，IGBT的门极驱动电路影响IGBT 到了广泛应用[3,410 的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路电流能 2 EXB841的控制原理 力及dine/dt等参数，决定了IGBT的静态与动态特 性。因此，在使用IGBT时，最重要的工作就是要设 EXB841工作原理如图1所示(图中VIG即为 计好驱动与保护电路。 IGBT管，下图同;VIs为光祸ISO1)o 2.1 正常开通过程 1IGBT驱动电路设计要求 当EXB841输人端脚14和脚15有10mA的 a.动态驱动能力强，能为IGBT栅极提供具有 电流流过时，光祸ISO1导通，A点电位迅速下降至 陡峭前后沿的驱动脉冲。否则IGBT会在开通及关 0V,V，和V,截止;V:截止使D点电位上升至20V, 断过程中产生较大的开关损耗。 V,导通，V，截止，EXB841通过V,及栅极电阻R。向 b.能向IGBT提供适当的正向和反向栅压。一 IGBT提供电流使之迅速导通。 般取++15V左右的正向栅压比较恰当，取一5V的反 2.2 正常关断过程 向栅压让IGBT能可靠截止。 控制电路使EXB841输人端脚 14和脚 巧无 G具有栅压限幅电路，保护栅极不被击穿。IGBT 电流流过，光藕ISO1不通，A点电位上升使V,和V2 栅极极限电压一般为土20V，驱动信号超出此范围 导通;V:导通使V,截止、V,导通，IGBT栅极电荷 可能破坏栅极。 通过V,迅速放电，使EXB841的脚3电位迅速下 d.当IGBT处于负载短路或过流状态时，能在 降至OV(相对于EXB841脚1低5V)，使IGBT可