第四章Al和N-Al掺杂ZnO薄膜特性研究.docVIP

两步法制备ZnO薄膜的结构和光学性质 苏剑峰( 牛强 张永胜洛阳理工学院数理部 河南洛阳 471023用和H2O做源在MOCVD系统上低温生长高质量的ZnO薄膜。通过X-射线衍射谱、原子力显微镜和光致发光谱的测量来研究等参数对ZnO 薄膜特性的影响实验结果表明，利用低温缓冲层技术制备的薄膜。与加入缓冲层之前生长温度对薄膜表面形貌的影响相比，加入缓冲层之后，随着生长温度的增加，ZnO颗粒大小变化不大。；；；ZnO是一种具有纤锌矿结构的直接带隙半导体材料，室温下的禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，大大降低了室温下的激发阈值，因此在紫外和蓝光发光器件方面具有很好的应用前景而高性能的发光器件的生长高质量的ZnO外延薄膜可以减薄膜中的结构及本征缺陷，抑制ZnO中杂质以及本征点缺陷的自补偿效应，提高薄膜的发光质量ZnO单晶外延薄膜的制备，目前主要采用MBE，MOCVD，PLD等高精度薄膜生长技术在单晶衬底上外延生长但价格比较昂贵，成本很高。Kumano et al.曾经报导过，在ZnO生长过程中加入少量的水汽可以得到光学特性很好的ZnO薄膜[]。我们在以往实验的基础之上，利用水汽做氧源，探索在低温下生长高质量的ZnO薄膜。由于Si和ZnO的晶格失配很大，所以在Si衬底上制备单晶ZnO薄膜非常困难。过渡层生长技术可以用来缓解外延膜与衬底之间由于晶格失配和热膨胀系数差异所产生的应力，从而减少晶格缺陷，提高外延薄膜的质量。这一技术已在Si衬底上制备GaN薄膜、SiC薄膜以及在A123衬底上制备ZnO薄膜等研究中，取得了很大的成功[]。我们采用生长ZnO薄膜， 2 实验过程 在自行改建的MOCVD系统上进行ZnO薄膜的水汽外延研究。改进后的进气系统采用类似喷淋头式，。喷淋进气系统使反应源从不同的管路进入反应室，然后在衬底表面均匀混合，避免了反应源过早混合，又可使源充分反应，有利于提高外延膜的结晶质量。 图1：ZnO反应室结构简图 采用高纯的二已基锌（DEZ和去离子水，生长前均用Ar+轰击衬底表面，能量为22W，可以增强Si衬底与ZnO薄膜之间的润湿型[]。生长时，用高纯N2鼓泡携带DEZ和H2O源温分别控制在-10℃和2℃，DEZH2O流量为5sccm，载气总流量为slm。两步法生长步骤：首先在200℃下生长5分钟，然后分别快速升温至400℃、500℃、600℃，在不同温度下生长生长结束后在氮气气氛中900℃退火1小时用日本理学D/max-rA型转靶X射线衍射仪（CuKα, 0.15406nm）分析ZnO薄膜的结构。用上海爱建纳米科技公司的Ⅲ-A型原子力显微镜观测ZnO薄膜的表面形貌和粗糙度。采用激发波长为325 nm 的He-Cd激光器，ZnO薄膜的光致发光特性。 3.1 结构特性 图ZnO薄膜的XRD图。图中所有样品均以2θ=34.4的ZnO（002）衍射峰为主，表明所有的样品均沿C轴方向择优生长。且随着生长温度的增加，ZnO（002）衍射峰的强度有了明显的增加，同时出现了2θ=72.5的ZnO（004）峰，表明ZnO薄膜的结晶质量随着生长温度的增加而得到提高，温度的升高增加了表面晶核的动能，使得吸附在衬底表面的原子可以自由扩散，按理想晶格。 图XRD 图XRD 图中对比了加入缓冲层前后ZnO薄膜的，从图中可以看出，加入缓冲层之后薄膜的结晶质量有了明显的改善。这说明加入的低温缓冲层可以有效地降低ZnO薄膜与Si衬底之间的晶格失配，减少薄膜中的缺陷，得到晶格质量良好的ZnO薄膜。通过室温下光致发光谱的测量，研究生长温度对ZnO薄膜发光特性的影响。从图中可以看到，所有样品在室温下的光致发光均集中在380nm附近，几乎看不到绿光发射，表明所制备的ZnO薄膜具有很好的发光性能，随着生长温度的增加，紫外发光逐渐增强，这与XRD的变化趋势一致。 图 图通过图对比加入缓冲层前后薄膜的发光特性，发现加入缓冲层之后，薄膜的紫外发光增强，可见发光消失。，紫外发光来自近带边发射，可见发光与ZnO薄膜中的各种缺陷如VO、Zni、、i等有关紫外发光的增强和可见的减弱说明加入缓冲层之后薄膜的结晶质量得到提高。图为加入低温缓冲层之后薄膜的表面形貌图。从图中可以看出，与加入缓冲层之前生长温度对薄膜表面形貌的影响相比，加入缓冲层之后，随着生长温度的增加，ZnO颗粒大小变化不大，表面粗糙度均在9nm左右。 图AFM立体图（2μm×2μm）利用DEZ和H2O做源在MOCVD系统上探索低温下生长高质量的ZnO薄膜。和的测量结果表明，利用低温缓冲层技术制备的薄膜。与加入缓冲层之前生长温度对薄膜表面形貌的影响相比，加入缓冲层之后，随着生长温度的增加，ZnO颗粒大小变化不大。[1] Z.K.Tang, G.K.L.Wong, P.Yu, M.Kawasaki, A.Oht