退火条件对氧化钒薄膜微观结构影响.pdfVIP

维普资讯 第39卷 第 12期 天 津 大 学 学 报 V0L39 No 12 2006年 12月 JournalofTianjinUniversity Dec．2006 退火条件对氧化钒薄膜微观结构的影响 梁继然，胡 明，吕宇强，韩 雷，刘志刚 (天津大学电f信息 稃学院，天津300072) 摘 要：采用直流对向靶磁控溅射的方法在 SiO／si衬底上制备了具有(001)择优取向的VO5薄膜，利用x射线 衍射、场发射扫描电子显微镜和四探针测试方法对退火前后薄膜的表面形貌、物相组分和电阻温度系数进行了测 量．结果表明：200℃村底温度下溅射得到的薄膜为多晶V：0，膜表面颗粒呈细长针状，经700℃、1h退火后，薄膜 中v0，相成分增多，颗粒变为长方彤柱状；退火后薄膜的电阻温度系数达到 3，2％／K，与薄膜的微结构和物相组 分有很大关系；3h退火后，得到高纯度的VO 薄膜． 关键词 ：氧化钒薄膜 ；微观结构；直流磁控溅射；择优取向 中图分类号：0484 文献标志码：A 文章编号：0493—2137(2006)12—1495—04 InfluenceofAnnealingConditionsonM icrostructure ofVanadium OxideThinFilms LIANGJi—ran，HUMing，L0Yu—qiang，HANLei，LIUZhi—gang (SchoolofElectronicInformationEngineering，TianjinUniversity，Tianjin300072，China) Abstract：TostudytheinfluenceofannealingconditionsonmicrostructureofVO thinfilms，V2O5thinfilms withapreferred(001)orientationweredepositedonSiO2／Sisuhstratebyreactivedirectcurrentfacingtargets magnetronsputtering．X—raydiffractiontechnique．fieldemissionscanningelectronmicroscopeandfour—point— probemethodwereemployedtoinvestigatethemorphology，phasecompositionandtemperaturecoefficientofre— sistance(TCR)ofthethinfilms．Theresultsshowthatthefilmobtainedat200℃ substratetemperatureis polycrystallineV2O5，whosecrystallineisneedle—like，thephaseofVO2increasesafterannealingat700 ℃ for 1handthecrystallinechangesitsshapetorectangleeohlmn．TheTCRreachesupto 一3．2％／Kafterannea ling，whichisrelatedtothemicrostruetureandphaseinthethinfilm．Alterannealingtbr3h，V2Osthinfilms withhighpurityareobtained． Keywords：vanadium oxidethinfilm