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第 20卷 第 4 期 光 散 射 学 报 Vol20 No4
2008年 12 月 TH E JOURNAL OF L IGHT SCA TTER IN G D ec 2008
文章编号 : 1004 5929 (2008)
扶手椅型碳化硅纳米管电子结构和光学性质的研究
张磊 , 曹学伟 , 冯敏 , 王玉芳
(南开大学物理科学学院 , 天津 30007 1)
( )
本文基于密度泛函理论研究了扶手椅型碳化硅纳米管 SiCN T 的电子结构 、成键机制以及其光学性质 。研
究结果表明:当碳和硅的原子比为 1 ∶1时 , SiCN T的结构最为稳定 ,并且表现出诸多的优良性质 。通过分析
计算结果我们发现 , SiCN T是间接带隙材料 ,并且管子的带隙随着直径的增加而增加 。从 SiCN T 的轨道图
2
谱中我们看到碳和硅原子之间属于 sp 杂化 , 同时硅原子周围的电子密度明显要低于碳原子周围的电子密
( )
度 。对能态密度的计算我们得知碳原子和硅原子分别主导价带和导带 。与其它纳米管 BN 有所不同 ,
SiCN T的光学性质更接近于各向同性材料 。
关键词 :碳化硅纳米管 ; 电子结构 ;能态密度
中图法分类号 : O73 1 文献标识码 : A
Electron ic Structure and O ptica l Properties of Arm cha ir
SiC Nanotubes
ZHAN G L ei, CAO Xue - wei, FEN G M in , WAN G Yu - fang
(D ep a rtm en t of P hy s ics, N anka i Un ivers ity, T ianj in 30007 1, Ch ina)
A b stract: By emp loying den sity - functional theory calcu lation , the electron ic structu re, orb itals
and op tical p rop ertie s of arm chair silicon carb ide nanotube s ( SiCN T) are d iscu ssed in th is p ap er.
The nanotube s w ith a Si to C of 1: 1 are the mo st stab le structu re and exh ib it m any favorab le p rop
ertie s. The band gap s of SiCN T are all indirect one and increa se w ith tube d iam eters increa sing.
2
From orb itals grap
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