磷锗锌单晶生长装置的设计与优化.pdfVIP

磷锗锌单晶生长装置的设计与优化* 赵 ．欣 (中国民航飞行学院 研究生处，四川 广汉 618307) 摘 要 ：根据磷锗锌 (ZnGeP。)晶体的生长特性 ，分析 了ZnGeP。单晶生长对生长炉温场的要求。在 两温区单晶生长炉的基础上 ，设计 出适合 ZnGeP。单晶生长的三温区管式生长炉，并对其温场进行 了设计 与优化 。在经优化的温场中进行 ZnGeP 单晶生长，获得 了尺寸达 20mm×30rnm、外观完整的单晶体 。 关键词 ：磷锗锌 ；晶体生长；三温 区；温场设计 中图分类号 ：TB34：O 782 文献标志码 ：A DesignandOptimizationonGrowthFurnaceofZnGeP2SingleCrystal ZHA0 Xin (GraduateDepartment，CivilAviationFlightUniversityofChina，Guanghan618307，China) Abstract：Thetemperature—fieldrequirementsforZnGeP2crystalgrowthhavebeenanalyzedaccordingto itscharacteris— ticsOnthecrystalgrowthprocess．A crystalgrowthfurnacewith three-temperature—zonehasbeendesignedandfabricated basedonaconventionalverticaltwo—zonetubularresistancefurnace．Thetemperature—fieldofthedesignedfurnacehasbeen testandoptimized．AnintegralZnGePzsinglecrystalwithasizeof≠20mm ×3Omm wasobtainedundertheconditionopti— mizedfrom abovetemperature—fieldtest． Keywords：ZnGeP2，Crystalgrowth，Three-temperaturezone，Temperaturefielddesign ZnGeP (ZGP)晶体是性能优异 的红外非线性 当满足以下条件 。 光学 晶体材料 ，具有典型的 II_IV_V2黄铜矿型结 1)高温 区 构 。其突出特点是双折射率大 ，使之能够在较宽波 主要是用于 ZnGeP 多晶原料 的熔化 ，所 以应 段 (O．7～ 12 m)范 围 内实现相位匹配 ，CO 激光 具有足够高 的温度 ，至少要高于 ZnGeP 的熔点 器 、Nd：YAG(Nd：Y。AlO。)激光器、Ti宝石 (Ti： (1027℃)以上。试验 中，一般可将高温区温度设 Al2O。)激光器 、Ho：Tm：LYF(Ho：Tm：YLiF4)激 置为 1060～1080℃，以确保 ZnGeP 多晶原料充 光器等都可 以作为泵浦源。因此 ，ZnGeP 晶体不 分熔化，并防止熔体过热；同时，高温区还应具有足 仅可用于红外倍频，而且在红外混频、光参量振荡、 够长的恒温区，以避免 因ZnGePz熔体分解而造成 二次谐波和太赫兹波产生等方面都具有广 阔的应用 生长的晶体偏离化学计量比。 前景 。 ． 2)梯度区 采用垂直布里奇曼法 (VBM)生长 znGeP 晶 该温区是 ZnGeP 晶体生长 中最重要的区域， 体时，合理的温场分布是获得大尺寸、高质量单晶体 即晶体生长固一液界面所处的位置。由晶体生长理 的关键因素之一 ，而优 良的单晶生长炉结构及控温 论可知 ，过小的温度梯度不能提供晶核形成所需的 系统是提供合理温场 的前提条件。因此 ，本文通过 驱动力 ，且在固一液界面上方靠近熔体侧容易寄生成