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其中，，()是激光的功率密度，X轴是激光入射的方 具有更大的吸收系数。硅晶体的光吸收谱[8如图3
向。 是材料对激光的吸收系数，单位是am一，主要 所示。激光能量在材料中传播到L=1／时衰减到
由激光特性和半导体能带性质决定。考虑物质中的 e～，即激光能量的吸收深度。SOI材料受紫外激光辐
电荷对入射 电磁波的响应，半导体的电荷包括 自由 照时，轴向具有更大的温度梯度。对脉宽r=lO ，Si和
载流子和束缚 电荷 。半导体材料 内导带和价带的电 SiO 中的热扩散深度、／ 分别是7．8×10 cm
荷受到入射 电磁波驱动振荡，载流子对入射激光的 和 1．4 ×lO-Sam。
响应与半导体能带结构密切相关。质量m的电荷在
周期性电场作用下的运动近似简谐振动，偏离平衡
A
位置的位移是Y，那么电荷的运动方程是 I＼
I 『
， + +G)，=e xp(f) (2) o～
其中，e是电荷量，是衰减系数，G是回复力。可以 零
看出，半导体中束缚电荷的运动是一个阻尼受迫振
；
子，自由载流子则是衰减运动。方程右边表示入射 7
激光电场作用于电荷的外力，根据简谐振子模型，Y
的受迫运动解形式是 )，0exp(t／ot)，其 中振幅口]
图3 硅的光吸收谱
一 eEo (3) Fig3 Spect~ ldependenceoftheabsorptioncoeffecientofSi
m 0一∞ + )
-f8toIIl葛 l|u8 暑 毫誉
激光在两种界面上的反射率 R可 以由菲涅耳
式中，= m中是阻尼系数。0=G／m是振子的本
公式嘲得到
征频率，直接反映了半导体的带隙性质。从式 (3)可以
看出，当入射激光频率与共振频率一致时，在吸收光 =
JJr●D ●I · (、4一)，
，
‘ n2COS~1-t-n1cosl~2
谱上将表现为吸收峰。图2是体硅材料的能带结构。
Er,s--n1cos$1--n2cos~2 (5)
． I ·
n2COS$1．t_nlCOSt2
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