固体与半导体物理(第七章) 半导体器件物理基础.ppt

C:表面势为 D:空间电荷层能带弯曲 电子势垒 空穴势阱 n型 P型 （2） n型 P型 A:电子从表面态转移到体内 －表面施主态 B:负空间电荷层 C:表面势 D:电子势阱 空穴势垒 n型 P型 空穴 势垒 电子 势阱 3.空间电荷层内载流子浓度的变化 体内 在空间电荷层内，电势能 变化 4.表面空间电荷层的三种基本状态 （1）积累层 能带从体内到表面上弯 以p型为例 空间电荷层的载流子浓度与体内的关系 空间电荷层处于多子堆积状态 －积累层 （2）耗尽层 能带从体内到表面下弯 空间电荷层处于多子耗尽状态 －耗尽层 －参考能级 反 型 层 耗 尽 层 （3）反型层 {7.3 金属－半导体接触 n型导电性 反型层 耗尽层 热蒸发 溅射 电镀 （1）整流接触 单向导电性 （2）欧姆接触 低电阻的非整流接触 1.金属和半导体的功函数 一.肖特基势垒 功函数 费米能级上的电子逸出体外所作的功 －电子亲和能 －真空能级 功函数不同 费米能级高低不一致 －系统不平衡 载流子流动 形成空间电荷层 自建场 势垒 系统平衡 费米能级一致 2.肖特基势垒高度 肖特基势垒高度 3.金－半接触类型 决定SBD特性的重要物理参数 A:金属与n型半导体接触 电子势垒 n型阻挡层 电子势阱 n型反阻挡层 B:金属与p型半导体接触 空穴势阱 空穴势垒 P 型反阻挡层 P 型阻挡层 对于一定的半导体 一定 随金属功函数变化 例： 理论计算： 实际测试： ？ 许多半导体 形成阻挡层 不管 还是 ？ 表面态的存在 二.巴丁模型 P 型反阻挡层 P 型阻挡层 涉及三个子系统的平衡 金属 表面态 半导体 1.半导体与表面态接触 n型： p型： n型 表面受主态 表面能级接受电子带负电 空间电荷层带正电 能带由体内到表面向上弯曲 形成电子势垒 2.半导体－表面态系统与金属接触 流向金属的电子主要来自表面态 因表面态密度比较高，能够提供足够多的电子 半导体势垒区几乎不变化 平衡时 金属中的电子流向表面态 基本保持不变 3.巴丁极限 对于大多数半导体 表面态密度在 以上 平衡时 费米能级 位于价带上方三分之一的禁带宽度处 不论n型半导体还是p 型半导体与金属接触 形成阻挡层 三.金－半接触的整流特性 阻挡层的整流作用 外加电压 阻挡层的平衡被破坏 产生电流 n型 P型 第七章 半导体器件物理基础 P－n结 金属－半导体接触 {7.1 P－n结 P－n结的形成 单向导电性 同种材料形成的P－n结 －同质结 不同种材料形成的P－n结 －异质结 一.平衡P－n结 (一) P－n结的杂质分布 合金法 离子注入法 扩散法 外延生长法 1.突变结 在结处杂质分布突然变化 2.缓变结 在结处杂质分布随距离变化 (二) p－n结的空间电荷区 1.空间电荷区 载流子浓度不均匀产生扩散 2.自建场 从n区指向p区 平衡时，扩散运动=漂移运动 空间电荷区和自建场一定 P－n结处于平衡态 (三）能带图 1.载流子的扩散是由于两区费米能级不一致所引起的 2.平衡p-n结，具有统一的费米能级 3.能带弯曲的原因 自建场 从n区 p区 电势 V(x) 从n区到 p区 电势能qV(x) 从n区到 p区 (四) p-n结的接触电势差 接触电势差 －p区和n区电势之差 势垒高度 从载流子浓度公式如何理解？ 势垒区 空间电荷区 结区 与哪些因素有关？ n区平衡电子浓度 P区平衡电子浓度 同为一区域 (五) P－n结的载流子分布 P区电势低于n区电势 (1)电势V(x) p区： n区： 势垒区中任一点x的电势V(x)为正值 常温下，杂质全电离 (2)电势能－qV(x) 势垒区内任一点x处的电势能 比n区电子的电势能高 (3)势垒区内载流子分布 A:势垒区内x处的电子浓度 B:势垒区内x处的空穴浓度 (4)估算势垒区内某一处的载流子浓度 A:假如 x处的势能比n区势能高0.1ev B: 结区的载流子浓度很小，已经耗尽。 －耗尽区 二.非平衡p－n结 正向 反向 P－n结的伏安特性 P－n结的单向导电性是因为势垒的存在 （一）正向偏压下p－n结的特性 非子的注入 1.p－n结势垒的变化 势垒高度降低 势垒宽度变窄 －扩散 －复合 载流子的扩散运动大于漂移运动 电子从n区到p区，空穴从p区到n区的净扩散流 构成从p区到n区的正向电流 2.载流子在势垒区外的运动 （1）非子的注入 在 处存在电子的积累，成为p区的非平衡少数载流子 在 处存在空穴的积累，成为n区的非平衡少数载流子 外加电压，使非平衡载流子进入半导体的过程 非子电注入 （2）扩散区 在该区完成了少子扩