偏振分光膜中节瘤缺陷的损伤特性研究.pdfVIP

中国科技论文在线 偏振分光膜中节瘤缺陷的损伤特性研究# 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2** 阿卜杜萨拉木·图尼亚孜 ，程鑫彬 ，鲍刚华 ，焦宏飞 ，王占山 （1. 同济大学，先进微结构材料教育部重点实验室，上海200092； 5 2. 同济大学物理科学与工程学院，精密光学工程技术研究所，上海200092 ） 摘要：研究了 1064nm HfO2/SiO2 偏振分光膜中节瘤缺陷的损伤特性。为了研究偏振分光膜 中节瘤缺陷种子源粒径大小与损伤阈值之间的关系，在熔石英基板上植入了尺寸和密度可控 的单分散性的SiO2 小球，并采用电子束蒸发技术在熔石英基板上制备了1064nm HfO2/SiO2 10 偏振分光膜。为了便于损伤测试，节瘤缺陷密度控制在20-40 mm2 左右，并采取适当的措 施防止了SiO2 小球团聚的