有机二极管基于通用迁移率模型的解析电流电压关系.pdfVIP

第 28卷 第 4期 原 子 与 分 子 物 理 学 报 Vo1．28 No．4 2011年 8月 JOURNALOFATOMICAND MOLECULARPHYSICS Aug． 2011 doi：103969／i．issn．1000—0364．2011．04．026 有机二极管基于通用迁移率模型的 解析 电流 电压关系 王 平 ，孙久勋 ，杨 凯 (电子科技大学物理电子学院，成都 610054) 摘 要 ：提 出一种有机半导体二极管 电流电压关系的解析表达式．该表达式是基 于Pasveer等人 [Phys． Rev．Lett．94，206601(2005)]的迁移率模型建立的，其中考虑了影响有机半导体栽流子输运最重要的因 素 ，包括温度 、载流子浓度和电场强度．将Pasveer等人迁移率公式 中的栽流子浓度和电场强度用常数迁移 率下严格解计算的平均值代入 ，然后将得到的迁移率取代 Mott—Gurney电流电压关系中的常数迁移率从 而得到解析 电流 电压表达式．将新解析表达式应用于三种材料制作的有机二极管，计算结果与实验数据符 合很好 ，表 明解析表达式是合理的． 关键词 ：有机半导体；迁移率 ；二极管 ；电流 电压关系 中图分类号 ：O482．4 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000—0364(2011)04—0755—05 Analyticcurrent。voltagerelationshipbasedon theunified mobilitymodelfororganicdiodes WANG Ping，SUN Jiu—Xun。YANG Kai (cshoolofPhysicalElectronics，UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaChengdu，Chengdu610054，China) Abstract：Ananalyticalcurrent—voltagerelationshipisproposedforsingle—carrierorganiclightem itting diodes．ThemodelisbasedonthemobilitymodelofPasveereta1．[Phys．Rev．Lett．94(2005)， 2066013thataccountsforthemostimportantphysicalquantitiesthatinfluencethecurrenttransportin organicdisorderedsemiconductors：temperature，carrierconcentration，andelectricfield．Thefull—ana- lyricalformulationisobtainedthrough replacingtheconstantmobility inM ott—Gurneyrelationship by themobilitymodelofPasveereta1．withcarrierconcentrationandelectricfieldbeingreplacedbytheir averagevaluesevaluatedusingthestrictsolutionsatconstantmobility，andleadstoasimpleanalytical expression．Itwasvalidatedwithexperimentaldatacollectedfrom differentmaterialsinawiderangeof operatingconditions． Keywords：organicsemiconductor，mobility，diodes，current—voltagerelationship