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维普资讯 李欣欣等：TFT-LCD工艺与静电击穿 文章编号 ：1006—6268(2007)03-0059-05 TFT—LCD工艺与静电击穿 李欣欣 。龙春平 。王 威 (京东方科技集团股份有限公司。北京 100176) 摘 要：薄膜 晶体管液晶显示器(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，TFT—LCD)的制造工艺 是一个复杂的过程 ，各个环节都可能发生静 电击穿 (electrostaticdischarge，ESD)现象，导致 TFT—LCD器件被破坏，极大地影响了良品率。本文根据薄膜晶体管(TFT)生产工艺的实际情 况．阐述 了产线里各类产品型号的ESD发生状况。在此基础上，对各种设计、工艺过程和工艺参 数对ESD造成的影响进行 了分析研究．为实际的生产提供 了指导作用。 关键词：薄膜晶体管液晶显示器；静 电击穿；电场强度 中图分类号 ：TN873 文献标识码 ：B TF．r—LCDProcessandESD LIXin—xin，LONG Chung—ping WANGWei (BeijinOrientElectronicsGroupCo．，Ltd，Beijing100176，China) Abstract：TFT—LCD produceisacomplicatedprocess．ESD phenomenacanoccursamong everyprocessstep．whichcauseTFT isdestroyedandhasabigbadeffecttotheproduct yield．ThispaperdescribeESD phenomenainkindsofproductmodelaccordingtothefact ofTFT produce．And then，analysis the mechanism thatbased on design and produce process．whichprovideaguidetoproducingpractice． Keywords：TFT——LCD；ESD；electricfieldstrength TFT—LCD 正 在 取 代传 统 的 阴极 射 线 管 (cathode—raytube．CRT)显示器，成为 目前主流的 1 TFT工艺过程简介 平板显示器件。在国外众多的TFT—LCD厂商不断 推 出更高水平的生产线的同时，北京、上海、昆山的 TFT工艺又称为阵列(Array)工艺，目的是在玻 三大 电子集 团投资兴建了三条第 5代 TFT—LCD 璃基板上形成薄膜 晶体管器件阵列。通过在基板上 生产线，并从2004年开始投入生产运营。以此为标 重复进行薄膜沉积、曝光、刻蚀、清洗等步骤，形成栅 志，中国正式进入TFT—LCD这一新兴的制造领域 。 极金属层、栅极绝缘层及半导体层(a—Si)、信号线 收稿 日期 ：2007—01—16 Mar20盯，总第73期 维普资讯 ◆ 鏊 李欣欣等：TFr-LCD工艺与静电击穿 及源 ／漏极电路、绝缘层、透明像素电极(ITO)。薄膜 态，即不带电。在一定条件下(如接触、挤压、分离或 晶体管的像素结构如图1所示。通过栅极 门电路来 受热等)，外层的电子由于离核较远，受核束缚力小， 控制TFT的开与关，从而实现对