半导体激光不同累积能量照射后牙本质的改变.pdfVIP

维普资讯 310 陕西医学杂志 2007年 3月第 36卷第 3期 半导体激光不同累积能量照射后牙本质的改变 西安交通大学 口腔医院(西安 710004) 程 政 王 敏 沃小蓉 杨小妮 摘 要 目的：探讨临床应用半导体激光治疗牙本质过敏症的最佳参数值。方法：选 择 离体上下颌第一、二恒磨牙，用单面金刚砂片垂直于牙长轴在牙合面牙尖下 1．0mm和 2． 5mm二处切断，制成 1．5mrD厚的牙片 15张。选用不同功率的激光照射牙本质片，每种功 率激光分别照射 180s、240s和 300s。牙本质片经常规固定、包埋、切片、染色后，光学显微镜 下观察牙本质的组织学变化。结果：不同功率的激光经不 同照射时间照射牙本质片后 ，均可 封闭牙本质小管。激光功率不变时，牙本质小管的封 闭厚度随照射时间的增加而增加 ；照射 时间相 同时，牙本质小管的封闭厚度随激光功率的增加而增加 ，且具有显著性差异 。在激光 功率为 0．5W 时，个别样本在激光照射 区域牙本质 中心处有凹坑 出现 。结论 ：激光功率 0． 4W ，照射 时间 300s条件下，牙本质小管封闭厚度较厚 ，且不出现 凹坑现象，可作为半导体激 光脱敏的最佳参考数值。 主题词 牙本质过敏 ／治疗 激光疗法，小剂量 ／方法 半导体 Analysisonthedifferenceofdentinchangesafterdifferent accumulatedenergyofsemiconductorlaserirradiation StomatologicalHospital，Xi’anJiaotongUniversity (Xi’an710004) ChengZheng W angM in W oXiaorong etaI ABSTRACT Objective：To investigatethebestparameteroflaser irradiationfordentin hypersensitivetreatment．Method Tlhesecondma】i【llaandmandiblemolarwereselected，andsliceswith 1．5mm thicknesswerepreparedfrom eachtooth byusingahigh-speedbur．Twohorizontalsectionsof sliceswereobtained，oneattheocclusionenamel—dentinaljunctionandtheotherfrom thepositionof1．5 mm lowerthantheenamel—dentinaljunction．Aquarterareaoneachdentinalsliceswasirradiatedunder thelaserwithdifferentlaserpowerandwithdifferenttimeofirradiation(180s，240s，300s)．Theslicesof lightmicroscopeweremadeaccordingtoroutine，thehistologicalchangesofeachslicewereobservedwith alightelectronicmicroscope．Results：Laserwithdifferentparametersblockeddentinalcanaliculi．W ith thelaserpowerandthetimeofirradiationincreased，thesealingdepthofdentinalcanaliculiincreased．Pit wasformedintheregionofirradiationinindividualsliceswhenlaserpo