原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
维普资讯
第22卷 第6期 材 料 科 学 与 工 程 学 报 总第92期
V01．22 No．6 JournalofMaterialsScience＆Engineering Dec．2004
文章编号 ：1040-793X(2004)06-0847-04
HFPECVD法沉积BN薄膜及其生长机理的研究
董 博。张溪文。韩高荣
(硅材料国家重点实验窒。浙江大学材料系。浙江 杭州310027)
摘【 要】 本文介绍了用HFPEcvD(hotfilamentplasmaenhancedchemicalvapordeposition)法制备BN薄膜。通过红外
吸收谱和x射线衍射图谱分析确定，射频功率和反应气体(N)气流量显著影响薄膜中立方相 BN(c-BN)的相对含量。当
射频功率小于200W时，薄膜中立方相的相对含量随它的增加而增大 ；而 当射频功率大于200W时，则随它增加而减小。
当N气流量增加时，薄膜生长速率增加，但立方相的相对含量却减少。最后通过对不同沉积时间样品的红外吸收谱的
分析对BN薄膜的生长机理进行了探讨。
【关键词】BN薄膜；射频功率；气流量；机理
中圈分类号：TB43 文献标识码：A
BN FlimsDepositedbyHFPECVD andtheMechanism oftheProcess
DONG Bo，ZHANG Xi-wen，HAN Gao-rong
(StateKeyLab．ofSiliconMaterial，ZhejisngUniversity，Hangzhoe310027，China)
A【bstract】BNfilmsweredepositedbyHFPECVD(hotfilamentplasmaehnancedchemicalvapordeposition)．Thesutdyofinfrared
absorptionpatterns(IR)nadX—raydiffractiondiagrams(XRD)ofthefilmsrevealshtathtefractionofcubicboronnitride(C-BN)iSStrongly
dependedonhteeffectofr．f．powerandhteflowratioofN2．Whenr．f．powerlowerthan200W ，htefractionofcubicboronnitrideincreases
witIIhtepowerincreasing；whilewhenr．f．powerhigherhtna 200W ，itdecreaseswiht htepowerincreasing．Wiht hteincreasingofhteflow
ratioofN2hterateofgrowthofhtefilmsincreases，howeverthefractionofcubicboronnitride(c_BN)decreases．Atlastweinferedhte
mechanism ofc-BNformationbyhtestudyofIRofhtefilmsdepositedbydifferenttime．
K【eywords】 BNfimls；r．f．power；hteratioofgas；mechanism
采用热丝辅助等离子增强化学气相沉积法制备 BN薄
引 言 膜 ，衬底采用经过超声处理的Si(100)基片。以N、H：以及
由H 稀释的B2H6(B2H6／H l％)作为反应气源，N 和 H
立方氮化硼是一种典型的Ⅲ一v族化合物 ，它拥有许多
文档评论（0）