Ta_2O_5高k介电薄膜的制备及其电学性质的研究.pdfVIP

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2017-09-12 发布于贵州
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Ta_2O_5高k介电薄膜的制备及其电学性质的研究.pdf

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材料与器件 ateri evieesl■ ‘ M alsandD DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2011．06．003 Ta2O5高介电薄膜的制备及其电学性质的研究陈勇跃，程佩红，黄仕华 (浙江师范大学物理系，浙江金华 321004) 摘要：用射频磁控溅射法制备了Ta：0 高介电薄膜，并对其进行了退火处理。用 c—， (G／to)一和，一方法研究了A1／TaO ／p-Si结构的电学特性，观测到了c— 和 (G／w)一V的频散效应。认为串联电阻、Si／Ta，O界面的界面态密度、边缘俘获是频散效应的主要原因，提取了界面态密度和边缘俘获电荷的大小。同时也研究了不同的退火温度对这些参数以及漏电流的影响，经 600oC退火后，样品的电容最大，俘获电荷密度和漏电流最小，器件的电学性能最佳。关键词：TaO薄膜；射频磁控溅射；C—V特性；退火；高介电常数中图分类号：TN304．21；TB43 文献标识码：A 文章编号：1003—353X (2011)06—0425—05 StudyofPreparation andElectricalCharacteristicsof Ta2O5High—kDielectricThinFilm Chen Yongyue，ChengPeihong，HuangShihua (DepartmentofPhysics，ZhejiangNormalUniversity，Jinhua321004，China) Abstract：High permittivity Ta2O5 thin films were deposited by radio—rfequency magnetron sputteringandsubsequentannealing．TheelectricalcharacteristicsoftheAI／Ta2O5／p—Sistructurewere investigatedbyC—V，(G／oJ)一V，andI-Vmethods．The~equencydispersioneffectwasobservedinC—V and(G／to)一Vcurves．Theseriesresistance，interfacestatedensityoftheSi／Ta2O5interfaceandborder trapchargeswereconsidered asthemain reason，andtheinterfacestateand bordertrap chargeswere obtained．The difference ofthese factors and the leakage currentwere also studied by annealing temperatureprocess． Theresuhs show thatan annealing treatmentat600 c=【results in the highest capacitanceandthelowesttrappedchargedensityandleakagecurrentinTa205film． Keywords：Ta205film； RFmagnetron sputter；C—V characteristic；annealing； high—k EEACC ：2810 的栅介质的电容，又能减少隧穿电流。TaO薄 0 引言