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第26 卷 第6 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 26 No. 6
2011 年6 月 Journal of Inorganic Materials Jun., 2011
文章编号: 1000-324X(2011)06-0597-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2011.00597
ZnO/Zn SnO 纳米电缆结构表征与发光特性
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周茹莉, 孔向阳
(上海交通大学 材料科学与工程学院, 汽车动力电池材料研究所, 上海 200240)
摘 要: ZnO 、Zn2 SnO4 均为直接带隙宽禁带氧化物半导体, 是优异的功能材料. 以ZnO 、SnO2 为原料, 通过共热蒸
发法, 合成了ZnO/Zn SnO 纳米电缆结构. 该纳米电缆结构为以ZnO 为芯, Zn SnO 为鞘, 直径为50~100nm, 长度
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可达上百微米. 通过TEM 分析手段, 发现该纳米电缆结构中, ZnO 的生长方向为0001方向, ZnO 芯与Zn2 SnO4 鞘
之间形成晶格外延关系. 室温下光致发光谱结果显示, 该纳米电缆结构在紫外区域(380.58nm 附近处)存在很强的
带边发光, 而在可见光区域没有明显的发光带, 这一结果表明: Zn2 SnO4 鞘层的存在能有效抑制ZnO 表面的缺陷发
光. ZnO/Zn2 SnO4 纳米电缆结构可以抑制电子−空穴的复合, 在染料敏化太阳能电池等方面有一定的应用潜力.
关 键 词: ZnO/Zn SnO ; 纳米电缆; 合成; 发光特性
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中图分类号: O649 文献标识码: A
Photoluminescence and Characterization of ZnO/Zn SnO Nanocables
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ZHOU Ru-Li, KONG Xiang-Yang
(Center of Nanotechology for Energy Conversion and Storage, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Jiao
Tong University, Shanghai 200240, China)
Abstract: ZnO and Zn SnO are e
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