光子晶体对nc2GeSi岛发光增强的模拟.pdfVIP

第 27卷 　第 4 期 发 　光 　学 　报 Vol27 No4 2006年 8月 CH IN ESE JOURNAL OF LUM IN ESCEN CE A ug. , 2006 文章编号 : (2006) 光子晶体对 ncGe / S i岛发光增强的模拟 唐海侠 , 王启明 (中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室 , 北京 　100083) 摘要 : 在 Si基集成光电子学的发展中 ,高效的 Si基光源是人们不懈追求的目标 。但是 Si材料的间接带隙特 性导致其发光效率低 ,更谈不上受激发射 。于是人们探索了多种 Si基材料体系来提高 Si材料的发光效率 ,并 在不同程度上取得了重要的进展 。在众多的 Si基发光材料体系中 , Ge / Si量子点材料 ,不仅生长工艺与标准 μ 的 CMO S工艺有很好的兼容性 ,而且发光波长能够覆盖重要的光通信波段即 1. 3 ～1. 55 m ,因此成为实现 Si 基发光器件的重要途径之一 。但是 目前这种材料的发光效率仍很低 ,所以提高其发光效率 自然成为人们关 注的焦点 。如果将光子晶体引入到 ncGe / Si材料中 ,它不仅可以改变材料本身的自发发射特性 ,而且可以改 变发射的光子的提取效率 ,从而使材料的发光效率得到增强 。提出了在 Ge / Si量子点材料中引入光子晶体结 构来提高其发光效率 ,包括光子晶体点缺陷腔结构和带边模式工作的完整光子晶体结构 ,并从理论上分析了 μ 发光效率提高的原理 。针对发光波长在 1. 5 m 附近的材料结构 ,模拟出了相应的光子晶体的结构参数 。从 模拟结果可以看出 , 对于缺陷腔的光子晶体结构 ,采用单点缺陷微腔很好地实现了单模运作 ,但是微腔内有 源材料的体积很小 ,因此得到的发光效率很低 。而采用耦合缺陷腔的结构和 H2 腔都增加了腔内有源区的体 积 。但是耦合腔与 H2 腔相比,谐振腔模减少 ,主谐振模式的峰值强度增加 ,更容易实现单模发光 。因而更适 用于提高 ncGe / Si的发光效率 。而带边模式工作的光子晶体结构 ,尺寸较大 ,不需引入缺陷 ,工艺上更容易 实现 。 关 　键 　词 : 光子晶体 ; 光子带隙; 谐振腔 ; ncGe / Si岛; 量子点 中图分类号 : O472. 3; O482. 3 1　　　PACC : 3250F; 7855　　　文献标识码 : A 艺有很好的兼容性 , 并且 SiGe / Si高频异质结双 1　引　　言 ( ) 极晶体管 HB T 已相当成熟 ,达到了产业化的水 目前 , Si基光电子学已经成为一个重要的研 平 。但是这种材料能得到的发光效率很低 , 只能 究领域 ,因为它能与标准的 CMO S工艺兼容 ,并且 在低温下测出明显的 PL 发射谱 ,而在室温下则 能够实现单片集成 , 因此具有广泛的应用前景 。 很微弱 。因此对于具有低量子效率的 Ge / Si量子 而 Si基光学回路的实现是以无源器件和有源器 点材料而言 ,提高其发光效率始终是人们探索的 件的实现为前提的。Si基的各种无源器件和一 目标 。