一维多层掺杂光子晶体缺陷模的偏振特性.pdfVIP

《半导体光电》2008 年 6 月第 29 卷第 3 期 刘启能 : 　一维多层掺杂光子晶体缺陷模的偏振特性 材料 、结构及工艺 一维多层掺杂光子晶体缺陷模的偏振特性 刘启能 ( 重庆工商大学 废油资源化技术与装备工程研究中心,计算机科学与信息工程学院,重庆 400067) 摘 　要 : 　为了研究多层掺杂对一维光子晶体缺陷模偏振特性的影响 ,采用特征矩阵法计算了 一维光子晶体双层掺杂和三层掺杂情况下缺陷模的偏振特征 。结果表明:双层掺杂时 , T E 波和 TM 波都出现了两个缺陷模 ,两个缺陷模随入射角的增加向短波方向移动 , T E 波的两个缺陷模随 入射角的增加而减弱 ,而 TM 波的两个缺陷模随入射角的增加而增强 。三层掺杂时 , T E 波和 TM 波也都出现了两个缺陷模 ,但比两层掺杂的缺陷模要弱 , T E 波和 TM 波的两个缺陷模随入射角的 变化特征与双层掺杂的情况相似 。 关键词 : 　光子晶体 ; 特征矩阵; 缺陷模 ; 多掺杂 中图分类号 : O436 　文献标识码 : A 　文章编号 : 100 1 - 5868 (2008) 03 - 0383 - 04 Polarization Properties of Defect Mode of Many Doping on Onedimensional Photonic Crystal L IU Qineng ( Used Oil Technology and Equipment Engineering Center , College of Calculator Science and Inf ormation Engineering , Chongqing Technology and Business University , Chongqing 400067 , CHN) Abstract : 　For st u dying t he influence of def ect mo de p olarization p rop ertie s of many dopin g on 1D p hotonic cry st al , t he charact eri stic mat rix met ho d i s adop t ed , t he polarizatio n p rop ertie s of def ect mo de of t he many dopin g on 1D p hoto nic cry st al i s calculat ed . When t wo doping i s t aken , t here are t wo def ect mo de s in T E wave an d TM wave , t he t wo def ect mo de s of T E wave move towar d short wavelengt h w hen t he incidence an gle increa se s , t he t wo defect mo de s of T E wave reduce w hen incidence angle increa se , but t he t wo def ect mo de of TM wave increa se w hen t he incidence angle increa se s. When t he t hree doping i s t aken , t here are t wo def ect mo de s in T E wave and TM wave al so , but t hey are smaller , t he polarization p rop ertie s of def ect mo de t