MFC在单晶炉上控制氩气流量的应用.pdfVIP

第29卷第4期 低 温 与特 气 Vo1．29，No．4 2011年8月 Low TemperatureandSpe*ialtyGases Aug．，2011 · 应用技术 · MFC在单晶炉上控制氩气流量的应用① 田伟娜，王宏博 (沈阳鹭岛电子有限公司，沈阳 110006) 摘要：目前单晶炉设备全自动控制技术 日趋成熟。单晶硅炉拉晶生长过程中，炉体内的真空度稳定性是一个重 要的环节。质量流量控制器MFC对于维持单晶炉内真空值起着极其重要的作用 关键词 ：单晶硅炉；氩气 ；质量流量控制器 ；真空度 中图分类号：TQ117 文献标志码 ：B 文章编号 ：1007—7804(2011)04．003703 doi：10．3969／j．issn．1007—7804．2011．40．O09 ApplicationofMassFlow ControllerControlling ArgonGasFlow inSingleCrystalFurnace TIAN Weina，WANG Hongbo (ShenyangLeaderElectronicCo．，Ltd．，Shenyang110006，China) Abstract：Automaticcontrolequipmentiscurrentlysinglecrystalfurnacetechnologyhasmatured．Growthprocessofsilicon crystalpullingfurnace，theftrrnacebodyofthevacuum stabilityisanimportantpart．MassFlow ControllerMFCvaluesfor themaintenanceofsingle—crystal furnacevacuum playsanextremelyimportantrole． Keywords：siliconfurnace；argongas；massflow controller；vacuum 近年来，随着国内太阳能光伏市场的迅猛发 重要课题 。 展，单晶硅炉的产量也在直线上升。就光伏产业应 用而言，目前国内单晶硅炉生产技术已较为成熟 ， 1 直拉硅单晶的生产工艺介绍 全国有 10余家设备厂商的产品供应国内市场。这 些企业技术水平差距不大，各具特点，基本能够满 直拉法生产硅单晶工艺尽管种类繁多，但大体 足国内太阳能级硅单晶的生产需要 ，目前 ，国内单 可分为：真空工艺、气氛工艺和减压拉晶工艺。真 晶炉国产化率达到97％以上，有力地促进了我国 空工艺又分低真空工艺和高真空工艺。真空工艺的 乃至世界光伏产业的发展，并有个别厂家的单晶炉 特点是在单晶炉膛 内保持真空情况下拉制硅单晶。 已批量出口进人了国际市场。 在直拉单晶生长过程中，炉体 内的气体气流从 低真空工艺单晶炉膛 内真空度保持 10～～10 Torr 顶部注入，及时地带走由于高温而产生出来的硅氧 (注 ：1Tort=133．32Pa)，高真空工艺单晶炉膛保 化物和杂质挥发物。因此，维持单晶炉体内真空值 持 10 Tort或更高 的真空度。硅单晶拉制过程 中 的稳定性 ，不受外界因素的影响，同时使保护气体 单晶炉膛内充高纯氩气做保护气体，称为气氛工 有合理的气流走向，迅速带走杂质，已经成为 目前 艺。气氛工艺中又有流动气氛和不流动气氛两种。