缺陷杂质与温度有关区熔法直拉单晶法生长时的分凝.pdfVIP

缺陷杂质与温度有关区熔法直拉单晶法生长时的分凝.pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
6.152J/3.1 55J 晶体生长 缺陷和晶体生长 6 . 1 2 J / 3 . 1 5 5 J 微电 子工艺 缺陷 杂质,空位,位错…与温度(T )有关 晶体生长技术: 区熔法, 布里曼生长法, 直拉单晶法 生长时的分凝 分凝系数 2 N o v . 2 6 , 2 0 0 3 1 6.152J/2.1 55J 热力学和相位图 6.12J / 3. 155J Microelect ron ic processing HB - HA = H = 生成热(A B) 所有的反应都有放热过程吗? S - S = S = 熵的改变量(A B) B A 所有的反应都有熵增增加吗? 用吉不斯自由能来解答: G G=H-TS G - G = G = H - T S B A 如果反应进行的话,G一定要减少. (根据平衡, 所有 改变都会增加G). 3 N o v . 2 6 , 2 0 0 3 热力学和相位图 6. 12J / 3. 155J 微电子工艺 H 吸热 H =从A到B 的焓的变化 Ex ot 放热 B 组 态 组 态 所有的放热反应都会 进行吗?

文档评论(0)

docindoc + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档