增强型HEMT研制与特性分析.pdfVIP

中国科学 E 辑 : 技术科学 2009 年 第 39 卷 第 1 期 : 119 ~ 123 SCIENCE IN CHINA PRESS 增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT研制与特性分析 * 郝跃, 王冲 , 倪金玉, 冯倩, 张进城, 毛维 西安电子科技大学微电子研究所, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071 * 联系人, E-mail: wangchong197810@ 收稿日期: 2007-11-15; 接受日期: 2008-03-20 国家自然科学基金资助项目(批准号: 摘要 成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型 AlGaN/GaN HEMT. 栅长1 μm, 关键词 源漏间距4 μm, 槽深10 nm 的器件在1.5 V 栅压下饱和电流达到233 mA/mm, 最 增强型高电子迁移率晶体管 大跨导210 mS/mm, 阈值电压为0.12 V, 器件在500℃ N2 气氛中5 min 退火后阈 AlGaN/GaN 槽栅 值电压提高到0.53 V. 深入研究发现, 当器件槽深15 nm 时, 相比槽深 10 nm 器 阈值电压 件饱和电流和跨导有所减小, 但阈值电压从0.12 V提高到0.47 V. 利用不同刻蚀 深度AlGaN/GaN 异质结的C- V 特性, 深入研究了阈值电压、栅控能力与刻蚀深度 的关系. AlGaN/GaN 异质结高电子迁移率晶体管(HEMT) 1 增强型器件的实现 在高温器件及大功率微波器件方面已显示出得天独 采用 MOCVD 方法在蓝宝石衬底基片(0001)面 厚的优势[1~2], 追求器件高频率、高压、高功率特性 上外延生长了 AlGaN/GaN 异质结. 蓝宝石衬底厚度 吸引了众多人进行研究. 近年来, 由于高压开关和高 为 330 μm, 材料层结构由下而上依次为: 3 μm 未掺 速电路的驱动, GaN增强型器件成为关注的又一研究 杂 GaN 外延层; 5 nm 未掺杂 AlGaN 隔离层; 12 nm Si 热点. 由于AlGaN/GaN 异质结生长完成后, 异质结界 掺杂 AlGaN 层(Si 掺杂浓度 2×1018 cm−3); 5 nm 未掺杂 面就存在大量二维电子气(2DEG), 当材料制作成器 AlGaN 帽层. PL 谱测量后计算得到的 AlGaN 层 Al 组 件加负栅压后才能将 2DEG耗尽而使沟道夹断, 即常 份为 27%(Al0.27Ga0.73N). Hall 效应测量显示, 室温下 规AlGaN/GaN HEMT为耗尽型器件. 但在数字电路、 蓝宝石衬底上生长的材料的 2DEG 电子迁移率μ 和 n 高压开关等领域应用时需要增强型器件, 确保只加 2 13 −2 面密度Ns 分别为 1267 cm /Vs 和 1.12×10 cm . 研制 正栅压才有工作电流. Lanford 等人[3] 采用刻蚀掉 的增强型HEMT 的材料结构如图 1 所示, 它的材料结 AlGaN/GaN异质结的一部分