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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 11 (2013) 116802 参数修改对铁电薄膜相变性质的影响* 卢兆信† ( 临沂大学机械工程学院, 临沂 276005 ) ( 2012 年12 月20 日收到; 2013 年2 月1 日收到修改稿) 在关联有效场理论的框架内, 利用微分算子技术, 详细地计算了基于横场伊辛模型描述的对称铁电薄膜系统的 相变性质. 根据薄膜各层自旋平均值构成的一系列耦合方程, 推导出可以用来计算任意层的具有不同表面层的薄膜 相图的解析通式方程, 讨论了参数修改对薄膜相互作用参数从FPD (铁电相占主导地位的相图) 到PPD (顺电相占主 导地位的相图) 过渡值和参数空间中各相变区域的影响. 在与平均场近似进行比较的结果显示, 关联有效场理论所 得到的铁电薄膜的铁电性在某种程度上比平均场近似下的结果减弱. 关键词: 铁电薄膜, 横场伊辛模型, 相图, 居里温度 PACS: 68.65.Ac, 77.80.B, 75.10.Hk, 77.90.+k DOI: 10.7498/aps.62.116802 利用它计算时可以得到比平均场近似更为精确的 30 31 1 引言 结果. 最近Arhchoui 等 和我们研究小组 分 别利用关联有效场理论对双表面铁电薄膜的相变 近年来, 由于薄膜制备技术日益发展成熟及其 性质进行了讨论. 但据我们所知, 利用关联有效场 在各种领域中的广泛应用, 一直以来铁电薄膜都 理论针对多表面层的铁电薄膜(Ns 2) 的相变性质 是实验制备和理论研究的热点之一 13 . 迄今为 的研究还没有开展过. 止, 对铁电薄膜的理论研究主要有两种方法: 一种 本文将针对任意层(N ) 的具有不同表面层(N ) s 是采用朗道-德文希尔的唯象理论 49 , 另一种是 的铁电薄膜系统, 利用微分算子技术来研究表面横 采用微观理论的横场伊辛模型1013 . 横场伊辛模 场、表面层数和薄膜层数对薄膜各相互作用参数 型通常被用来描述有序— 无序型铁电体的相变, 从FPD 到PPD 过渡值和参数空间中各相变区域的 现在已被成功地应用于对铁电薄膜相变性质的研 影响. 同时也将把本文的计算结果与平均场近似进 23 究, 比如BaTiO3 和SrTiO3 薄膜 . 薄膜中存在 行比较. 的尺寸效应和表面效应都会显著地影响它的相变 性质. 因为横场伊辛模型不能被精确地求解, 导致 2 模型和公式 许多近似方法被用来计算薄膜的相变性质, 比如 平均场近似1024、格林函数方法2526 和关联有 2.1 理论模型 效场理论2731 . 关联有效场理论是一种基于自旋 关联和微分算子技术并且相当于泽尔尼克近似的 本文所要研究的铁电薄膜系统是由任意N 层 方法, Kaneyoshi27 对其进行改进和推广, 使其成功 的简立方结构沿z 方向构成, 每一层被定义在x-y 地用来研究横场伊辛薄膜的各种相变性质. 同时, 平面内, 赝自旋处于平面中的正方晶格