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第 32 卷 第 2 期 电 子 器 件 Vol . 32 N o . 2
2009 年 4 月 Chinese J our nal Of Elect r on Devices Ap r . 2009
Thermal Analysis and Optimization of Power VDMOS Transistor Based on ANSYS
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H UA Qi ng , YI N J i ngh u a , J I A O Guoqi n , L I U X i aow ei
1. S chool of A p p l ie d S ciences , H arbi n Uni vers ity of S cience an d Technology , H arbi n 150080 , Chi na;
2 . S chool of A s t ronaut ics , H arbi n I ns t it ute of Technology , H arbi n 15000 1 , Chi na
Abstract :Based on finite element met hod , a t hreedimensional model is established for power VDMOS transistor
who se package typ e is TO220AB . Under t he condition of powerdissipation , the temperature field of device is sim
ulated and analyzed. The effect s of substrate t hickness , adhesive layer material and layer t hickness on temperature
distribution are studied. The result s show t hat t he main heat dissip ation pat h is from chip to substrate , t he p rime
t hickness range of substrate is 1～1. 2 mm , the bigger t he heat conductivity coefficient of adhesive layer and the
t hinner t he layer t hickness , t he better the dissipation effect will be.
Key words :VDMO S ;finit e element ;t her mal analy si s ;AN SYS ;op timization
EEACC :2550
基于 ANSYS 的功率 VDMOS 器件的热分析及优化设计
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华 庆 ,殷景华 ,焦国芹 ,刘晓为
( 1. 哈尔滨理工大学应用科学学院 ,哈尔滨 150080 ;2 . 哈尔滨工业大学航天学院 ,哈尔滨 15000 1)
摘 要 :针对 TO220AB 封装形式的功率 VDMO S 器件 ,运用有限元法建立器件的三维模型 ,对功率耗散条件下器件的温度
场进行热学模拟和分析 ,研究了基板厚度 、粘结层
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